SiC-MOSFET

在我们的@@传统印象中@@，电机驱动系统往往采用@@IGBT作为开关器件@@，而@@SiC MOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的@@应用相关联@@

1200 V分立器件提供出色的@@性能@@，有助于加速全球能源转型@@<

与东芝目前@@采用@@3引脚@@TO-247封装的@@产品@@TW045N120C相比@@，新型@@TW045Z120C的@@开通损耗降低了约@@40%，关断损耗降低了约@@34%

漏极和源极间的@@浪涌是由各种电感分量和@@MOSFET寄生电容的@@谐振引起的@@@@

功率半导体包含功率集成电路和功率分离式组件@@。功率集成电路安装在驱动电路板上@@，以发送信号控制功率组件@@/模块进行开关@@

新型@@芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上@@

本文主要分析了在@@SiC MOSFET中比较明显的@@短沟道效应@@@@、Vth滞回效应@@、短路特性以及体二极管的@@鲁棒性@@

相比@@基于硅@@(Si)的@@MOSFET，基于碳化硅@@(SiC)的@@MOSFET器件可实现更高的@@效率水平@@，但有时@@难以轻易决定这项技术@@是否更好的@@选择@@。本文将阐述需要考虑哪些标准因素@@。

目前@@SiC MOSFET体二极管的@@可靠性研究论文和报告较少@@，本文针对@@SiC MOSFET的@@体二极管可靠性进行研究@@。

在探讨@@“SiC MOSFET：桥式结构中@@Gate-Source电压的@@动作@@”时@@，本文先对@@SiC MOSFET的@@桥式结构@@和工作进行介绍@@，这也是这个主题的@@前提@@。