Transphorm的快速充电器@@和@@电源适配器@@用@@GaN器件@@2021年@@12月出货量突破@@@@100万大关@@

展现了该公司@@强大的产能@@实力和@@在高功率多千瓦产品领域的持续领先地位@@

Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布@@,该公司@@2021年@@12月份的@@SuperGaN® Gen IV场效应晶体管@@(FET)出货量突破@@100万大关@@。这一里程碑进一步证实了该公司@@之前宣称的大规模量产合格封装@@器件@@的实力@@@@,同时其市场份额正在不断增长@@。这也意味着该公司@@@@2021日历年@@度下半年@@出货量是@@2021日历年@@度上半年@@的@@3倍以上@@。值得一提的是@@,这也突显了@@Transphorm持续的生态系统扩张@@,出货的@@FET将用于亚太区新老客户生产的@@45W至@@300W电源适配器@@和@@快速充电器@@应用@@。

Transphorm用于紧凑型功率转换应用的@@SuperGaN产品系列目前包括三款@@650V器件@@:480 mΩ FET、300 mΩ FET以及@@150 mΩ FET。这些器件@@采用标准的@@PQFN 5x6和@@8x8封装@@,并可在@@150°C下满足@@JEDEC认证标准@@。

与竞品@@GaN半导体@@(即@@e-mode和@@IC GaN)相比@@,SuperGaN器件@@的主要优势包括@@:

  • 更小的裸片尺寸@@,更优越的性能@@@@:数据显示@@,与低通阻器件@@相比@@@@,SuperGaN平台可提供更高的效率@@。
  • 易于设计@@和@@驱动@@:SuperGaN平台的专利架构包括一个具有通用接口的集成硅@@FET,不需要过多的外围电路@@。这个接口允许使用流行的@@、现成的带有集成驱动的控制器@@;能@@
  • 一流的质量@@+可靠性@@:基于超过@@300亿小时的运行@@,实用中的@@Transphorm器件@@FIT(失效率@@)小于@@0.3;这意味着从统计上来看@@,在超过@@10亿小时的运行@@时间内@@,失效次@@数少于@@0.3次@@。
  • Transphorm总裁兼联合创始人@@Primit Parikh表示@@:“我们很高兴能@@与我们的供应商和@@客户合作@@,实现每月@@100万的量产目标@@。这表明我们在快速增长的快速充电器@@和@@电源适配器@@领域正在赢得不断增长的市场份额@@,也证明了我们大规模生产高性能@@@@、高可靠性@@@@GaN器件@@的实力@@。Transphorm在低功率和@@多千瓦高功率应用方面都极具吸引力@@,突显了我们技术@@的领先地位@@。我们的实力@@,再加上前一季度获得的超过@@4500万美元的融资@@,为我们在@@2022年@@继续扩张和@@增长提供了一个强劲的积极势头@@。”

    Transphorm完整的产品组合目前包括各种封装@@的@@650V和@@900V器件@@。此产品组合的技术@@优势在很大程度上得益于该公司@@的垂直整合能@@力@@。这种运营模式在@@GaN半导体@@行业并不常见@@,但能@@助力@@Transphorm掌控其器件@@的设计@@@@、外延晶片@@(原始材料@@)和@@制造@@流程@@。因此@@,Transphorm目前能@@够在广泛的电源应用领域@@(电源适配器@@、数据中心和@@游戏@@PSU、加密货币矿机@@、汽车变流器@@、可再生能@@源逆变器等@@)满足广泛的功率转换需求@@(45W至@@10+ kW)。

    关于@@Transphorm

    Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者@@,致力于设计@@@@、制造@@和@@销售用于高压电源转换应用的高性能@@@@、高可靠性@@@@的氮化镓半导体@@功率器件@@@@。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一@@,持有或@@取得授权的专利超过@@1,000多项@@,在业界率先生产经@@JEDEC和@@AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体@@器件@@@@。得益于垂直整合的业务模式@@,该公司@@能@@够在产品和@@技术@@开发的每一个阶段进行创新@@:设计@@、制造@@、器件@@和@@应用支持@@。Transphorm的创新正在使电力电子@@设备@@突破硅的局限性@@,以使效率超过@@99%、将功率密度提高@@@@40%以及@@将系统成本降低@@20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔@@,并在戈利塔和@@日本会津设有制造@@工厂@@。如需了解更多信息@@,请访问@@www.transphormusa.com。欢迎在@@Twitter @transphormusa和@@在微信@@@Transphorm_GaN上关注我们@@。