Transphorm

常关@@D模式@@GaN相比常关@@@@E模式@@GaN的优势@@

本白皮书讨论了@@GaN固有的物理特点@@。以及@@常关@@@@d模式@@GaN解决方案如何最大限度地发挥这些@@固有优势@@

Transphorm推出低成本的@@SuperGaN FET驱动器解决方案@@

Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达@@99%的效率@@,验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案@@

Transphorm推出六款可与@@e-mode设备@@实现引脚对引脚兼容的@@SuperGaN FET产品@@

这些@@SMD提供@@Transphorm专利@@SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和@@性能优势@@,并采用为竞品@@e-mode GaN器件@@常用的封装@@配置@@

Transphorm的快速充电器和@@电源适配器用@@GaN器件@@2021年@@12月出货量突破@@100万大关@@

Transphorm用于紧凑型功率转换应用的@@SuperGaN产品@@系列目前包括三款@@650V器件@@:480 mΩ FET、300 mΩ FET以及@@150 mΩ FET。这些@@器件@@采用标准的@@PQFN 5x6和@@8x8封装@@,并可在@@150°C下满足@@JEDEC认证标准@@。