全球公认的@@卓越的@@模拟@@/混合信号@@晶圆代工厂@@X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布@@，扩展其@@SubstrateXtractor工具应用范围@@，让用户可以借助这一工具检查不想要的@@衬底耦合@@效应@@。作为@@全球首家为@@BCD-on-SOI工艺@@提供此类分析功能的@@代工厂@@，X-FAB将@@这一最初面向@@XH018和@@XP018 180nm Bulk CMOS工艺@@开发的@@工具@@，新增了其对@@XT018 180nm BCD-on-SOI工艺@@的@@支持@@，作为@@Bulk CMOS工艺@@外的@@一项补充@@。通过使用新的@@@@SubstrateXtractor升级版本@@，可以加速@@SOI相关的@@产品@@开发@@，避免多次迭代@@。
图为@@X-FAB工程师正在使用衬底耦合@@分析工具@@
最初的@@@@SubstrateXtractor由@@X-FAB与@@EDA合作伙伴@@PN Solutions（基于@@其广泛使用的@@@@PNAware产品@@）合作开发@@，于@@2019年发布@@。利用@@这一工具@@，客户能够解决半导体衬底内有源和@@无源@@188足彩外围@@app 间相互作用所造成的@@耦合问题@@（无论这些@@188足彩外围@@app 作为@@电路本身的@@一部分@@，还是以寄生方式存在@@）---其所带来的@@显著优势使客户的@@项目能够更迅速地进入市场@@。PN Solutions的@@PNAwareRC工具支持@@SOI工艺@@，由@@此进一步增强了平台的@@功能并扩大了其吸引力@@。
X-FAB的@@XT018工艺@@BOX/DTI功能可以将@@芯片上的@@组成功能模块相互隔离@@，适用于@@需要与@@数字模块去耦合的@@敏感模拟模块@@，或@@必须与@@高压驱动电路隔离的@@低噪声放大器@@。此工艺@@也使得多通道的@@设计实现更加容易@@，因为@@XT018中的@@电路被有效地放置在其自身独立的@@衬底中@@，从而减少了串扰@@。
在基于@@@@SOI的@@集成电路中@@，利用@@SubstrateXtractor实现衬底耦合@@分析的@@能力对于@@客户来说极具价值@@。虽然@@SOI工艺@@中的@@有源部分可以通过@@BOX和@@DTI完全介电隔离@@，有源部分被隔离之后就如同各自孤立一般@@，但无源@@R和@@C耦合仍然可能存在@@。得益于@@这一升级版新工具@@，可以为@@DTI和@@BOX产生的@@横向和@@纵向耦合路径提取无源@@RC网@@络@@，并经由@@对无源耦合网@@络@@的@@仿真@@，评估它们对集成电路的@@影响@@。此类新增的@@版图后抽取寄生的@@关键应用@@，包括工业@@及汽车系统中使用的@@大电流和@@高电压器件等@@。
“消除衬底耦合@@是一项具有挑战性的@@任务@@。通过支持对我们@@XT018 BCD-on-SOI工艺@@相关的@@寄生元素的@@提取@@，客户将@@能够模拟电路模块的@@耦合@@，并识别对性能不利的@@干扰因素@@。”X-FAB设计支持总监@@Lars Bergmann表示@@，“在涉及非常大的@@干扰电压或@@在个位数@@GHz范围内的@@高频情况下@@，这一功能扩展将@@极具意义@@。”
缩略语@@：
BOX 埋入式氧化物@@
BCD Bipolar CMOS DMOS
DTI 深槽隔离@@
EDA 电子@@设计自动化@@
RC 电阻@@-电容@@
SOI 绝缘体上硅@@
关于@@@@X-FAB：
X-FAB是领先的@@模拟@@/混合信号@@和@@@@MEMS晶圆代工集团@@，生产用于@@汽车@@、工业@@、消费@@、医疗和@@其它应用的@@硅晶圆@@。X-FAB采用尺寸范围从@@1.0µm至@@130nm的@@模块化@@CMOS和@@SOI工艺@@，及其特色@@SiC与@@微机电系统@@（MEMS）长寿命工艺@@@@，为全球客户打造最高的@@质量标准@@、卓越的@@制造工艺@@和@@创新的@@解决方案@@。X-FAB的@@模拟数字集成电路@@（混合信号@@IC）、传感器@@MEMS在德国@@、法国@@、马来西亚和@@美国的@@六家生产基地生产@@，并在全球拥有约@@4,000名员工@@。www.xfab.com