UnitedSiC（现为@@Qorvo）扩展了其突破性的@@第@@@@@@4代@@ SiC FET产品@@组合@@, 通过采用@@@@TO-247-4引脚封装@@的@@@@750V/6mOhm SiC FET和@@采用@@@@D2PAK-7L表面贴装@@封装@@的@@@@9mOhm导通电阻@@，扩大了性能领先地位@@。 新型碳化硅@@@@ FET 采用@@标准分立式封装@@@@。提供业界额定值最低的@@@@ RDS（on），是@@同类产品@@中@@唯一提供@@5μs的@@可靠短路耐受时@@间额定值的@@器件@@（参见@@Figure 1）。
图@@ 1. 750V第@@4代@@UnitedSiC FET极低的@@@@ RDS(on) UJ4SC075006K4S 与@@ SiC MOSFET 竞争对手相比@@，在类似的@@@@ 650V-750V 等级和@@@@ 6mohm 器件的@@低短路电流延时@@为@@ 5μs
UnitedSiC 利用业界最佳的@@导通电阻@@@@ x 面积@@ （RDS（on） x A），在一系列功率水平和@@封装@@选项@@中@@扩展了其第@@@@4代@@FET 产品@@组合@@, 提供一流的@@品质因数@@（FoM）。750V 碳化硅@@ FET 采用@@ TO-247-3L和@@ TO-247-4L 插入式封装@@@@, 导通电阻@@范围为@@ 6mOhm 至@@ 60mOhm, 采用@@低电感@@, 表面贴装@@ D2PAK-7L 封装@@, 可提供@@6.7mm 的@@高压爬电距离@@。SiC FET采用@@先进的@@晶圆减薄和@@银烧结芯片贴装技术@@@@, 提供卓越的@@热性能@@。
图@@2所示为扩展的@@@@750V产品@@组合@@, 插入式和@@表面贴装@@器件均具有@@8个导通电阻@@@@,为设计人员提供了更大的@@灵活性@@, 可以优化其系统的@@效率@@, 热管理复杂性和@@成本@@, 而@@不必在有限的@@选择下妥协@@。750V器件的@@全系列还允许设计人员使用@@UnitedSiC提供的@@相同基准技术@@来解决许多应用和@@功率水平@@, 而@@不是@@设计多个不同制造商的@@@@SiC组件来涵盖其产品@@范围@@。低导通电阻@@选项@@采用@@开尔文源连接封装@@@@（TO-247-4L 和@@ TO-263-7L）, 允许用户以更干净的@@栅极波形快速实现高电流开关@@，同时@@@@，低功耗碳化硅@@@@ FET （18mOhm-60mOhm） 提供开尔文连接和@@传统的@@@@TO-247-3L 选项@@。
图@@ 2. 750V 第@@4代@@ UnitedSiC FET 产品@@可按@@ RDS（on） 和@@分立式封装@@类型提供@@
图@@3显示了设计灵活性的@@一个例子@@, 其中@@比较了@@3.6kW图@@腾柱@@功率因数校正@@（TPPFC）电路中@@的@@多个器件@@。TO-247-4L FET的@@范围为@@18mOhm至@@60mOhm, 是@@TPPFC应用的@@绝佳选择@@。该图@@显示了新型@@23mOhm, 33mOhm和@@44mOhm 750V SiC FET获得的@@性能@@，达到超过@@99.3%的@@峰值效率@@。如果优化满载效率或@@最小化热管理要求非常重要@@, 则可以选择@@UJ4C075018K4S。如果轻到中@@等负载的@@效率和@@性价比在客户需求方面排名很高@@, 那么@@UJ4C075023K4S或@@UJ4C075033K4S都是@@绝佳的@@选择@@。同时@@@@, 为低功耗@@（例如@@1.5kW）系统和@@低@@成本选项@@量身定制选择可以将设计人员引向@@UJ4C075044K4S和@@UJ4C075060K4S产品@@，只需在@@ UnitedSiC FET-JET 计算器@@ 图@@片@@（https://info.unitedsic.com/fet-jet） 中@@, 即可在各种拓扑结构中@@评估这些选项@@中@@的@@每一个@@, 从而@@说明在不影响扩展产品@@组合@@的@@情况下进行设计的@@能力@@。
图@@ 3. 750V第@@4代@@ UnitedSiC FET 性能在@@ 3.6KW 图@@腾柱@@ PFC 中@@。彩色条表示使用不同设备@@的@@功率损耗@@，所有这些设备@@都可以使用@@，但在满载时@@提供不同的@@效率@@。
UnitedSiC的@@第@@@@4代@@ SiC FET 提供突破性的@@性能水平@@, 旨在加速@@ WBG在汽车和@@工业充电@@、牵引逆变器@@、固态断路器@@、电信整流器@@、数据中@@心@@ PFC 和@@ DC/DC 转换以及可再生能源和@@储能应用中@@的@@采用@@@@。
当额定值为@@ 750V 时@@, 该器件为@@ 400V 或@@ 500V 电池@@/总线电压应用提供了额外的@@设计裕量@@、尽管提高@@了额定电压@@。但这些器件采用@@先进的@@电池@@密度来降低单位面积@@的@@@@ RDS（on），在所有封装@@中@@提供业界电阻最低的@@产品@@@@。此外@@, 通过器件先进的@@烧结芯片贴装技术@@实现高额定电流@@，从而@@改善了热性能@@。SiC FET 提供业界最佳的@@比导通电阻@@@@（图@@ 4）, 可在整个温度范围内大幅降低传导损耗@@。
图@@ 4. 750V第@@4代@@UnitedSiC JFET 单位面积@@导通电阻@@@@，而@@ SiC 的@@额定电压为@@ 650V
设计易用性再次成为特点@@, 因为所有器件都可以用标准的@@@@0V至@@12V或@@15V栅极驱动电压安全驱动@@，在一个真正的@@@@ 5V 门限电压条件下保持了良好的@@噪声裕量@@。与@@前几代@@产品@@一样@@, 这些新型碳化硅@@@@@@ FET 可在所有典型的@@@@ Si IGBT、Si MOSFET 和@@ SiC MOSFET 驱动电压下工作@@, 并包括一个内置的@@@@ ESD 栅极保护钳@@。
除了低导通电阻@@外@@, 这些新型碳化硅@@@@@@ FET 还可在@@硬开关和@@软开关@@电路中@@提高@@效率@@. 在图@@腾柱@@@@PFC或@@标准@@2电平逆变器等硬开关电路中@@@@, 单位面积@@的@@低导通电阻@@和@@低@@输出电容以及低压@@Si MOSFET中@@接近零的@@存储电荷相结合@@, 可提供@@出色的@@反向恢复电荷@@（Qrr）和@@低@@Eoss/Qoss。这些器件具有出色而@@坚固的@@集成二极管@@, 具有低压降@@ VF （<1.75V）。
这些碳化硅@@@@ FET 还可在@@ LLC 或@@ PSFB 等高频软开关@@谐振转换器拓扑中@@提供改进的@@性能@@. 750V器件的@@突破性性能是@@导通电阻@@已大幅降低@@, 同时@@@@,为任何给定的@@@@RDS（on）提供较低的@@输出电容@@C oss（tr）, 软开关@@FOM（表示为@@ RDS（on） x Coss（tr） ）优势在整个有用工作温度范围内都是@@同类产品@@中@@最好的@@@@。
图@@5所示的@@雷达图@@@@总结了第@@@@4代@@750V FET与@@650V-750V竞争对手的@@比较优势@@. 当考虑关键的@@硬开关和@@软开关@@参数时@@@@, SiC FET是@@无与@@伦比的@@@@，超低的@@单位面积@@导通电阻@@@@允许标准分立封装@@@@, 其性能水平是@@现有@@ Si 或@@新兴的@@@@ WBG 竞争技术@@无法实现的@@@@。
图@@5.UnitedSiC 750V FET的@@雷达图@@@@，关键参数归一化@@（注@@：值越低越好@@）
总而@@言之@@, 这些来自@@ UnitedSiC 的@@ SiC FET 通过先进的@@第@@@@@@4代@@技术@@实现了全新的@@性能水平@@。 UnitedSiC 凭借最低的@@@@ RDS（on） 6mOhm SiC FET扩展了其性能领先地位@@, 并通过该电压等级中@@最广泛的@@@@WBG产品@@组合@@为用户提供了急需的@@设计灵活性@@. 通过增加@@750V选项@@, 设计人员现在拥有了额外的@@总线电压裕量@@。其优越的@@品质因数@@（FoM）提供了性能更好的@@@@ SiC FET 产品@@，功率设计人员现在可以在下一代@@系统设计中@@从中@@受益@@。