SiC-FET

宽带隙@@（WBG）器件@@，尤其是@@SiC FET、碳化硅@@JFET的@@级联和@@共封装硅@@MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的@@竞赛@@

SiC FET（即@@SiC JFET和@@硅@@MOSFET的@@常闭共源共栅组合@@）等宽带隙@@半导体开关推出后@@，功率转换产品无疑受益匪浅@@

Qorvo的@@SiC FET技术@@用于采用@@TO-Leadless（TOLL）封装的@@@@750V器件@@开发@@，并扩大了其领先优势@@。那么@@，如此小巧的@@@@TOLL封装能带来什么@@？

SiC FET在共源共栅结构中结合硅基@@MOSFET和@@SiC JFET，带来最新宽带隙@@半导体技术@@的@@@@性能优势@@，以及成熟硅基功率器件@@的@@易用性@@

750V SiC FET 拥有全球最低的@@@@5.4 (mΩ) 的@@导通阻抗@@。非常适用于空间@@极其有限的@@应用场景@@，如从几百瓦到千万瓦的@@交流@@ / 直流电源以及高达@@ 100A 的@@固态继电器和@@断路器@@。

本文追溯了@@SiC FET的@@起源和@@发展@@，直至最新一代@@产品@@，并将其性能与替代@@技术@@进行了比较@@。

宽带隙@@半导体是高效功率转换的@@助力@@。有多种器件@@可供人们选用@@，包括混合了硅和@@@@SiC技术@@的@@@@SiC FET。本文探讨了这种器件@@的@@特征@@，并将它与其他方法进行了对比@@

如果询问任何功率电子@@器件@@设计@@师他们追求什么@@，转换效率通常都会名列前茅@@。高效率不仅能节能@@，还有附带好处@@，即@@打造更小@@、更轻@@、更便宜的@@产品@@

新型碳化硅@@@@ FET 采用标准分立式封装@@。提供业界额定值最低的@@@@ RDS（on），是同类产品中唯一提供@@5μs的@@可靠短路耐受时间额定值的@@器件@@@@

碳化硅@@FET已经在车载充电器@@（OBC）电路领域确立了自身地位@@，尤其是@@在电池工作电压超过@@500V的@@情况下@@。这些器件@@的@@低功率损耗使得穿孔封装和@@表面安装式封装都可以用于此应用@@。