从@@2025年起@@将向全球电动汽车供货@@，助力延长续航里程和系统的小型化@@
全球知名半导体制造商罗姆@@（总部位于日本京都市@@）的第@@4代@@SiC MOSFET和栅极驱动器@@IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫@@株式会社@@（以下简称@@“日立安斯泰莫@@”）用于其纯电动汽车@@（以下简称@@“EV”）的逆变器@@@@。
在@@全球实现无碳社会的努力中@@，汽车的电动化进程加速@@，在@@这种背景下@@，开发更高效@@、更小型@@、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路@@。尤其是在@@@@EV领域@@，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸@@，提高@@发挥驱动核心作用的逆变器@@@@的效率已成为一个重要课题@@，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望@@。
罗姆自@@2010年在@@全球率先开始量产@@SiC MOSFET以来@@，在@@SiC功率元器件技术@@开发方面@@，始终保持着业界先进地位@@。其中@@，新推出的第@@@@4代@@SiC MOSFET改善了短路耐受时间@@，并实现了业界超低的导通电阻@@。在@@车载逆变器@@中采用该产品时@@，与使用@@IGBT时相比@@，电耗可以减少@@6%（按国际标准@@“WLTC燃料消耗量测试@@”计算@@），非常有助于延长电动汽车的续航里程@@。
日立安斯泰莫@@多年来一直致力于汽车用电机和逆变器@@相关的先进技术@@开发@@，并且已经为日益普及的@@EV提供了大量的产品@@，在@@该领域@@拥有骄人的市场业绩@@。此次@@，为了进一步提高@@逆变器@@的性能@@，日立安斯泰莫@@首次在@@主驱逆变器@@的电路中采用了@@SiC功率器件@@，并计划从@@@@2025年起@@，依次向包括日本汽车制造商在@@内的全球汽车制造商供应相应的逆变器@@@@产品@@。
未来@@，罗姆将作为@@SiC功率元器件的领军企业@@，不断壮大产品阵容@@，并结合能够更大限度地激发元器件性能的控制@@IC等外围元器件技术@@优势@@，持续提供有助于汽车技术@@创新@@的电源解决方案@@。
关于日立安斯泰莫@@@@
日立安斯泰莫@@通过由动力总成系统和安全系统业务@@、底盘业务@@、摩托车业务@@、软件业务以及售后市场业务组成的战略业务组合@@，致力于不断增强业务和技术@@创新@@能力@@。公司秉承以@@“绿色@@”、“数字化@@”、“创新@@”为核心的发展目标@@，通过可以减少废气排放的高效内燃机系统和电动系统@@，助力改善地球环境@@，并通过自动驾驶@@、先进驾驶辅助系统以及先进底盘系统@@，助力提升出行的安全性和舒适性@@。通过提供先进的移动出行方案@@，为实现可持续发展的社会和提高@@客户的企业价值做贡献@@。