谈谈@@SiC MOSFET的@@短路能力@@
judy -- 周三@@, 01/31/2024 - 10:16为什么@@IGBT和@@SiC MOSFET短路能力差这么多@@,这是@@SiC天生的@@缺陷吗@@@@?今天我们简单分析一下@@。
为什么@@IGBT和@@SiC MOSFET短路能力差这么多@@,这是@@SiC天生的@@缺陷吗@@@@?今天我们简单分析一下@@。
本文将会从@@导通损耗@@,开关损耗和@@短路性能来分别讨论@@。
CoolSiC™ 碳化硅@@MOSFET集高性能@@、坚固性和@@易用性于一身@@。由于开关损耗低@@,它们的@@效率很高@@,因此可以实现高功率密度@@
为了提供更快的@@充电速度@@,车载充电器需要一种专为更高电压和@@更高开关频率设计的@@新拓扑结构@@。
三菱电机宣布将于@@5月@@31日开始提供一款新型集成@@SBD的@@SiC-MOSFET模块@@样品@@,该半桥模块@@额定电压为@@3.3kV,绝缘耐压为@@6.0kVrms
本文将讨论@@3kW PFC单相交流输入电源@@的@@设计@@,该电源@@具有超过@@40 W/in3的@@功率密度@@,满载效率为@@98.4%
碳化硅@@(SiC)的@@性能潜力是毋庸置疑的@@@@,但设计者必须掌握一个关键的@@挑战@@:确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的@@成功@@。
原来@@1.5小时@@,现在只需@@20分钟就能将电动汽车@@(EV)从@@5%的@@荷电状态@@(SoC)充电至@@80%,这样的@@电动汽车充电方案你喜欢吗@@@@?
全新栅极驱动@@IC支持@@1200V功率器件@@,隔离电压为@@3.75kVrms
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高@@、热导率高@@、电子@@饱和@@速率高@@、抗辐射能力强等优势@@,在各种各样的@@电源@@应用范围在迅速地扩大@@