推出@@LPDDR5X后@@，仅隔两个月成功开发出速度提高@@@@13%的新产品@@，兼具高速度和@@低功耗@@@@
采用@@HKMG工艺@@实现性能的极大化@@
“不断加紧超前的技术@@开发@@，将成为@@@@IT领域的游戏规则改变者@@”
SK海力士@@（或@@‘公司@@’，https://www.skhynix.com）25日宣布@@，公司@@成功开发出当前速度最快的移动@@DRAM（内存@@）“LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”，并已向客户提供了样品@@。
继@@SK海力士@@在@@去年@@11月推出@@的移动@@DRAM LPDDR5X1，将其性能提升成功开发出了@@LPDDR5T。 本次产品的速度比现有产品快@@13%，运行速度高达@@9.6Gbps（Gb/s）。公司@@为了强调其超高速度特性@@，命名时在@@规格@@名称@@“LPDDR5”上加以@@“Turbo（涡轮增压@@）”作为了后@@缀@@。
1LPDDR（低功耗@@双倍数据速率@@）：是@@用于智能手机和@@平板电脑等移动端产品的@@DRAM规格@@，因以耗电量最小化为目的@@，具有低电压运行特征@@。规格@@名称附有@@“LP（Low Power，低功耗@@）”，最新规格@@为第七代@@@@LPDDR（5X），按@@1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成@@。LPDDR5T是@@SK海力士@@业界首次开发的产品@@，是@@第八代@@@@LPDDR6正式问世之前@@@@，将第七代@@@@LPDDR（5X）性能进一步升级的产品@@。
同时@@，LPDDR5T在@@国际半导体标准化组织@@(JEDEC)规定的最低电压@@1.01~1.12V（伏特@@）下运行@@。公司@@强调本次产品兼具了高速度和@@低功耗@@的特性@@。
SK海力士@@表示@@：“公司@@推出@@每秒@@8.5Gb速度的@@LPDDR5X后@@，仅隔两个月再次突破了技术@@局限@@。今后@@将供应客户所需求的多种容量产品@@，进一步巩固移动@@DRAM市场的主导权@@。”
公司@@近期向客户提供了将@@LPDDR5T芯片组合为@@16GB(千兆@@)容量的封装样品@@。该样品的数据处理速度可达每秒@@77GB，相当于每秒处理@@15部全高清@@（Full-HD）电影@@。
SK海力士@@计划采用@@第@@4代@@10纳米级@@（1a）精细工艺@@@@，将于今年下半年推进本次产品的量产@@。
另外@@，SK海力士@@在@@本次产品中也采用@@了@@“HKMG（High-K Metal Gate）”2工艺@@。公司@@表示@@：“本次产品通过采用@@@@HKMG工艺@@技术@@实现了最佳性能表现@@。坚信在@@下一代@@@@LPDDR6问世之前@@，大幅拉开技术@@差距的@@LPDDR5T将主导该市场@@。”
2HKMG（High-K Metal Gate）：在@@DRAM晶体管内的绝缘膜上采用@@高@@K栅电介质@@，在@@防止漏电的同时@@还可改善电容@@（Capacitance）的新一代@@工艺@@@@。不仅可以提高@@内存@@速度@@，还可降低功耗@@@@。SK海力士@@去年@@11月在@@移动@@DRAM上全球首次采用@@了@@HKMG工艺@@。
IT行业预测@@，今后@@在@@智能手机@@5G时代@@@@，能够满足高速度@@、高容量@@、低功耗@@等所有配置的高性能存储器需求将会增长@@。在@@这种趋势下@@，SK海力士@@期待@@LPDDR5T的应用范围不仅限于智能手机@@，还将扩展到人工智能@@(AI)、机器学习@@(Machine Learning)、增强@@/虚拟现实@@(AR/VR)。
SK海力士@@DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示@@：“公司@@通过本次新产品的开发@@，提前满足了客户对高速度产品的需求@@。今后@@也将致力于开发引领新一代@@半导体市场的超前技术@@@@，成为@@IT领域的游戏规则改变者@@。”
关于@@SK海力士@@
SK海力士@@总部位于韩国@@，是@@一家全球领先的半导体供应商@@，为全球客户提供@@DRAM(动态随机存取存储器@@)，NAND Flash(NAND快闪存储器@@)和@@CIS(CMOS图像传感器@@)等半导体产品@@。公司@@于韩国证券交易所上市@@，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市@@。若想了解更多@@，请点击公司@@网@@站@@www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。