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佰维发布@@CXL 2.0 DRAM，赋能高性能计算@@

judy -- 周三@@, 12/27/2023 - 11:31

佰维成功研发并发布了支持@@CXL 2.0规范的@@@@CXL DRAM内存@@扩展模块@@。CXL 2.0 DRAM采用@@EDSFF（E3.S）外形规格@@，内存@@容量高达@@96GB

judy -- 周四@@, 11/23/2023 - 10:33

美光推出基于@@ 32Gb 单裸片@@的@@@@ 128GB DDR5 RDIMM 内存@@，具有高达@@ 8,000 MT/s 速率的@@一流性能@@，可支持当前及未来的@@数据中心工作负载@@。

judy -- 周四@@, 11/16/2023 - 15:04

本文将举例说明如何借助虚拟制造评估@@ DRAM 电容器图形化工艺@@的@@工艺@@窗口@@

judy -- 周一@@, 11/13/2023 - 15:20

LPDDR5T的@@16 GB容量套装产品@@可在国际半导体标准化组织@@（JEDEC）规定的@@最低电压@@1.01至@@1. 12V（伏特@@）标准范围下运行@@

judy -- 周五@@, 09/01/2023 - 10:16

在相同封装尺寸下@@，容量是@@16Gb内存@@模组@@的@@两倍@@，功耗降低@@10%，且无需硅通孔@@(TSV)工艺@@即可生产@@128GB内存@@模组@@

judy -- 周四@@, 08/24/2023 - 14:45

本文将探讨消费类@@DRAM和工业@@DRAM之间的@@差异@@，并揭示不正确使用@@DRAM的@@风险@@

judy -- 周二@@, 08/22/2023 - 10:24

SK海力士@@21日宣布@@，公司成功开发出面向@@AI的@@超高性能@@DRAM新产品@@@@HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证@@@@。

judy -- 周三@@, 08/09/2023 - 15:54

TechInsights发现了四种@@EUV光刻@@(EUVL)工艺@@，用于阵列有源切割@@/外围有源@@(有源修剪@@)、位线接触@@(BLC)、存储节点接触垫@@(SNLP)/外围第一金属层@@ (M1)和存储节点@@(SN)管图形化@@

judy -- 周四@@, 08/03/2023 - 14:39

动态随机存取存储器@@ (DRAM) 是一种集成电路@@，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存@@的@@数字电子@@设备@@@@

judy -- 周二@@, 06/13/2023 - 11:03

半导体公司正在推动@@ DRAM 的@@进步@@，突破性能@@、密度和效率的@@界限@@。这是最近的@@一些例子@@