Transphorm推出六款可与@@e-mode设备@@@@实现引脚对引脚@@兼容的@@SuperGaN FET产品@@

Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供@@高可靠性@@、高性能氮化镓@@(GaN)功率转换产品@@的领军企业和@@全球供应商@@。公司宣布推出六款表面贴装器件@@(SMD),采用@@行业标准@@@@PQFN 5x6和@@8x8封装@@。这些@@SMD提供@@Transphorm专利@@SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和@@性能优势@@,并采用@@为竞品@@e-mode GaN器件常用@@的封装@@配置@@。因此@@,这六款设备@@@@可在@@e-mode GaN解决方案中轻松用@@作第一设计源@@,或@@用@@作引脚对引脚@@兼容的插拔式替换@@和@@@@/或@@第二来源@@。

对于需要@@SuperGaN平台的额外热性能的电源系统@@,Transphorm另提供@@采用@@经优化@@Performance封装@@的@@SMD。无论何种封装@@@@,所有@@Transphorm器件都具有易于设计和@@驱动的特点@@,因为@@d-mode配置使用@@的是与@@GaN HEMT配对的低@@电压@@Silicon MOSFET。该平台配置还允许使用@@标准@@的现成品控制器和@@@@/或@@驱动器@@,进一步提升了@@Transphorm系列产品@@@@的卓越驱动性和@@可设计性@@。

Transphorm业务拓展和@@营销高级副总裁@@Philip Zuk表示@@:“Transphorm持续生产强大的@@GaN器件组合@@,覆盖了当今最广泛的功率范围@@。通过推出这些@@行业标准@@封装@@@@,我们进一步巩固了我们的低@@功率策略@@,而@@在此前@@,我们刚刚发布了与@@Weltrend半导体@@共同开发的@@SiP封装@@。现在客户可以选择如何利用@@@@SuperGaN的优势@@,不论是通过@@Performance封装@@、引脚对引脚@@e-mode兼容的行业标准@@@@封装@@还是通过系统级封装@@@@。”

SuperGaN插拔式替换@@的优势@@@@

经证明@@,用@@SuperGaN d-mode FET替换@@e-mode器件能够降低@@传导损耗@@,提供@@更高的性能和@@更低@@的工作温度@@,从而@@实现更长的寿命可靠性@@。这是由于与@@e-mode GaN常闭式设备@@@@相比@@,d-mode GaN常闭式设备@@@@从根本上具有内在的优势@@@@。最近的一次直接比较便可为此提供@@证明@@,该测试用@@@@72 mΩ SuperGaN技术@@替换@@了@@280W游戏笔记本电脑充电器的@@50 mΩ e-mode设备@@@@:https://bit.ly/diraztbISP

在充电器分析中@@,SuperGaN FET可以在控制器的输出电压范围内工作@@(而@@e-mode需要电平转换@@),且温度更低@@@@。SuperGaN的电阻温度系数@@(TCR)约比@@e-mode低@@ 25%,有助于降低@@传导损耗@@。此外@@,外围@@188足彩外围@@@@app 数量减少了@@20%,表明原材料成本也更低@@@@。

行业标准@@的@@SMD系列产品@@@@

Transphorm的行业标准@@@@PQFN设备@@@@清单如下@@:

这些@@设备@@@@共享的主要特点包括@@:

  • 符合@@JEDEC标准@@
  • 动态@@RDS(on)eff生产测试@@
  • 市场领先的稳健设计@@,宽栅极安全裕度@@,瞬态过电压能力@@
  • 极低@@的逆向恢复电荷@@
  • 减少交叉损耗@@
  • 目标应用@@@@

    72 mΩ FET的优化设计适用@@于数据通信@@、广泛的工业@@、光伏逆变器@@、伺服电机@@、计算系统和@@普通消费类应用@@@@。

    150、240和@@480 mΩ FET的优化设计适用@@于功率适配器@@、低@@功率开关电源@@、照明和@@低@@功率消费类应用@@@@。

    供货情况@@

    所有@@行业标准@@设备@@@@目前提供@@样品@@,可以在此处申请@@:https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling

    关于@@Transphorm

    Transphorm, Inc.是全球@@GaN革命的领导者@@,为高电压功率转换应用@@设计和@@制造@@高性能@@、高可靠性的@@GaN半导体@@。Transphorm拥有庞大的功率@@GaN知识产权组合@@,包括超过@@1000个自有或@@授权专利@@@@,生产了业界首款符合@@@@JEDEC和@@AEC-Q101标准@@的高电压@@GaN半导体@@器件制造@@商@@。公司的垂直一体化器件商业模式利于每一个开发阶段的创新@@,包括设计@@、制造@@、器件和@@应用@@支持@@。Transphorm的创新推动电力电子@@技术@@突破了硅材料的局限@@,实现了@@99%以上的效率@@,使功率密度提高@@@@50%,系统成本降低@@@@20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市@@,在戈莱塔和@@日本会津设有制造@@业务@@。欲了解更多信息@@,请访问@@www.transphormusa.com。敬请关注我们的@@Twitter@transphormusa和@@微信@@@ Transphorm_GaN。