业内唯一可同时提供@@级联型@@（cascade）和@@增强型@@@@（e-mode）氮化镓@@器件@@的@@供应商@@
Nexperia今天宣布推出首批支持低电压@@(100/150 V)和@@高@@电压@@(650 V)应用的@@@@E-mode（增强型@@）功率@@GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓@@产品系列@@上增加了七款新型@@E-mode器件@@，从@@GaN FET到其他硅基功率@@器件@@@@，Nexperia丰富的@@@@产品组合能为设计人员提供@@最佳的@@选择@@。
Nexperia的@@新产品包括五款额定电压为@@650 V的@@E-mode GaN FET（RDS(on)值@@介于@@80 mΩ至@@190 mΩ之间@@），提供@@DFN 5x6 mm和@@DFN 8x8 mm两种封装@@。这些产品可在高@@电压@@(<650 V)、低功率@@的@@数据通讯@@/电信@@、消费类@@充电@@、太阳能和@@工业@@应用中提高@@@@电源转换效率@@，还可用于高@@精度无刷直流电机和@@紧凑型服务器设计@@，以实现更高@@扭矩和@@更大功率@@@@。
Nexperia现还提供@@采用@@@@WLCSP8封装的@@@@100 V (3.2 mΩ) GaN FET和@@采用@@@@FCLGA封装的@@@@150 V (7 mΩ) GaN FET。这些器件@@适合各种低电压@@(<150 V)、高@@功率@@应用@@，例如@@，数据中心使用的@@高@@效@@@@DC-DC转换器@@、快速充电@@（电动出行类@@和@@@@USB-C类@@）、小尺寸@@@@LiDAR收发器@@、低噪声@@D类@@音频放大器以及功率@@密度更高@@的@@消费类@@设备@@@@（如手机@@、笔记本电脑和@@游戏主机@@）。
在许多功率@@转换应用中@@，GaN FET凭借紧凑型解决方案尺寸@@能实现更高@@的@@功率@@效率@@，从@@而显著降低物料@@(BOM)成本@@。因此@@，GaN器件@@在主流电力电子@@市场逐渐得到了广泛应用@@，包括服务器计算@@、工业@@自动化@@、消费类@@应用和@@电信@@基础设施@@。基于@@GaN的@@器件@@具备@@快速转换@@/开关能力@@（高@@dv/dt和@@di/dt），可在低功率@@和@@高@@功率@@转换应用中提供@@出色的@@效率@@。Nexperia的@@E-mode GaN FET具有出色的@@开关性能@@，这得益于极低的@@@@Qg和@@QOSS值@@，并且低@@RDS(on)有助于实现更高@@的@@功率@@效率设计@@。
这些新器件@@进一步扩充了@@Nexperia丰富的@@@@GaN FET产品系列@@，适合各种功率@@转换的@@应用@@。产品组合包括支持高@@电压@@@@、高@@功率@@应用@@的@@@@级联器件@@@@，支持高@@电压@@、低功率@@应用的@@@@@@650 V E-mode器件@@和@@支持低电压@@、高@@功率@@应用@@的@@@@100/150 V E-mode器件@@。此外@@，Nexperia E-mode GaN FET采用@@8英寸晶圆生产线制造以提高@@@@产能@@，符合工业@@级的@@@@JEDEC标准@@。Nexperia的@@GaN器件@@产品系列@@不断扩充@@，充分体现了@@Nexperia坚守承诺@@，促进优质硅器件@@和@@宽禁带技术@@发展的@@决心@@。
如需进一步了解@@Nexperia推出的@@新款@@100 V、150 V和@@650 V E-mode GaN FET，请访问@@：www.nexperia.cn/products/gan-fets
关于@@Nexperia
Nexperia总部位于荷兰@@，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@，目前在欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名员工@@。作为基础半导体器件@@开发和@@生产的@@领跑者@@，Nexperia的@@器件@@被广泛应用于汽车@@、工业@@、移动和@@消费等多个应用领域@@，几乎为世界上所有电子@@设计的@@基本功能提供@@支持@@。
Nexperia为全球客户提供@@服务@@，每年的@@产品出货量超过@@1,000亿件@@。这些产品在效率@@（如工艺@@、尺寸@@、功率@@及性能@@）方面成为行业基准@@，获得广泛认可@@。Nexperia拥有丰富的@@@@@@IP产品组合和@@持续扩充的@@产品范围@@，并获得了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@，充分体现了@@公司对于创新@@、高@@效@@、可持续发展和@@满足行业严苛要求的@@坚定承诺@@。