Nexperia

Nexperia首款@@SiC MOSFET提高@@了工业电源开关应用的@@安全性@@、稳健性和@@可靠性标准@@

1200 V分立器件提供@@出色的@@性能@@,有助于加速全球能源转型@@<

三菱电机与@@@@Nexperia合作开发@@SiC功率半导体@@

三菱电机集团近日宣布@@,将与@@@@Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系@@,共同开发面向电力电子@@市场的@@碳化硅@@(SiC)功率半导体@@

Nexperia与@@KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产@@650 V碳化硅整流二极管模块@@

650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于@@3 kW至@@11 kW功率堆栈设计的@@高频电源应用@@,以满足工业电源@@、EV充电站和@@板载充电器等应用的@@需要@@。

Nexperia双通道@@500 mA RET可在空间@@受限的@@应用中@@实现高功率负载开关@@@@

采用超紧凑型@@DFN2020(D)-6封装@@,并集成@@BJT和@@电阻@@,加倍节省空间@@@@

如何选择符合应用散热要求的@@半导体封装@@@@

在本@@188金宝搏@@ 中@@, Nexperia(安世半导体@@)讨论了其焊线封装@@和@@夹片粘合封装@@的@@散热通道@@,以便设计人员选择更合适的@@封装@@@@。

Nexperia扩展产品组合@@, 率先推出集成式@@5 V负载开关@@

NPS4053是一款高密度集成电路@@(IC),凭借小巧的@@尺寸提供@@优异的@@系统保护性能@@,可帮助提高@@系统可靠性@@,保障系统安全@@。

Nexperia推出纽扣电池寿命和@@功率增强器@@

实现长达@@10倍电池寿命@@,扩展在物联网@@设备@@中@@的@@应用范围@@

Nexperia推出新款@@600 V单管@@IGBT,可在电源应用中@@实现出色效率@@

Nexperia的@@600 V IGBT采用稳健@@、经济高效的@@载流子储存沟槽栅场截止@@(FS)结构@@,在最高@@175℃的@@工作温度下可提供@@超低导通和@@开关损耗性能与@@高耐用性@@

为什么所有的@@@@SiC肖特基二极管都不一样@@

本文介绍@@Nexperia(安世半导体@@)如何将先进的@@器件结构@@与@@创新工艺技术@@结合在一起@@,以进一步提高@@@@ SiC 肖特基二极管的@@性能@@。

Nexperia推出支持低压和@@高压应用的@@@@E-mode GAN FET

Nexperia的@@新产品包括五款额定电压为@@650 V的@@E-mode GaN FET(RDS(on)值介于@@80 mΩ至@@190 mΩ之间@@),提供@@DFN 5x6 mm和@@DFN 8x8 mm两种封装@@@@