三菱电机@@宣布将于@@5月@@31日@@开始提供一款@@新型集成@@@@SBD*1的@@SiC*2-MOSFET*3模块@@样品@@，该半桥模块@@额定电压为@@3.3kV，绝缘耐压为@@6.0kVrms。将有助于为铁路@@、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度@@、更高效率和可靠性@@@@。该产品正在@@@@PCIM Europe 2023（5月@@9-11日@@，德国纽伦堡@@）上展出@@。
3.3kV 集成@@SBD SiC-MOSFET 模块@@
近年@@来@@，为降低全@@球社会范围内的@@碳排放@@，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合@@，特别是在@@重工业中@@，这些器件被用于变流器设备@@@@，如轨道牵引@@中的@@变流系统和直流输电系统@@。其中@@，SiC功率半导体能够大幅降低功率损耗@@@@，人们对其期待很高@@。此外@@，对于大型工业设备@@@@，为了进一步提高@@其转换效率@@，对高效率功率半导体模块@@的@@需求不断增加@@。
为进一步为大型工业变流设备@@的@@高功率输出@@、高效率和高可靠性做出贡献@@，三菱电机@@开发了这款@@@@SiC MOSFET模块@@，采用内置@@SBD的@@SiC MOSFET芯片和优化的@@内部封装结构@@，能有效降低开关损耗@@，将很快开始提供样品@@。至此@@，三菱电机@@3.3kV LV100封装共包含@@4款@@SiC MOSFET模块@@和@@2款@@Si IGBT模块@@。
产品特点@@
集成@@SBD的@@SiC-MOSFET，降低功率损耗@@，提高@@变流器输出功率@@、效率和可靠性@@
采用集成@@@@SBD的@@SiC MOSFET和优化的@@封装结构@@，与公司现有的@@硅功率模块@@@@@@相比@@，开关损耗降低了@@91%*4，与现有的@@全@@@@SiC功率模块@@@@相比降低了@@66%*5，从而降低了变流器功率损耗@@，并有助于提高@@输出功率和效率@@。
集成@@SBD的@@SiC MOSFET和优化的@@电流容量提高@@了变流器的@@可靠性@@。
优化的@@端子布局@@，适用于不同容量大小的@@变流器@@
优化的@@端子布局@@利于并联连接@@，通过并联不同的@@数量实现变流器的@@灵活功率配置@@。
直流和交流主端子布置在@@两端的@@封装设计@@，有助于简化电路设计@@。
主要规格@@
本产品为符合@@《出口贸易管制令@@》附表@@1第@@2（41）3项的@@产品@@。
*1：Schottky Barrier Diode
*2：Silicon Carbide碳化硅@@
*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4：3.3kV/600A 硅功率模块@@@@@@(CM600DA-66X)
*5：3.3kV/750A全@@SiC功率模块@@@@ (FMF750DC-66A)
关于三菱电机@@@@
三菱电机@@创立于@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。在@@2022年@@《财富@@》世界@@500强排名@@中@@，位列@@351名@@。截止@@2022年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@44768亿@@日@@元@@(约合美元@@332亿@@)。作为一家技术@@主导型企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@@@，并凭借强大的@@技术@@实力和良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@@@、通信设备@@@@、工业自动化@@、电子@@元器件@@、家电等市场占据重要地位@@。尤其在@@电子@@元器件@@市场@@，三菱电机@@从事开发和生产半导体已有@@60余年@@@@。其半导体产品更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业与新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及有线@@/无线通讯等领域得到了广泛的@@应用@@。