采用最新一代工艺@@，可提供低@@导通电阻@@和@@扩展的安全工作区@@
东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app
及存储装置株式会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@，推出采用东芝@@最新一代@@U-MOS X-H工艺制造而成的@@100V N沟道功率@@MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品@@适用于数据中心和@@通信基站所用的工业设备@@电源线路上的开关电路和@@热插拔电路@@[1]等应用@@@@。该产品@@于今日开始支持批量出货@@。
TPH3R10AQM具有业界领先的@@[2]3.1mΩ最大漏极@@@@-源极@@导通电阻@@，比东芝@@目前@@100V产品@@“TPH3R70APL”低@@16%[2]。通过同样的比较@@，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了@@76%[3]，使其适合线性模式工作@@。而且降低@@导通电阻@@和@@扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量@@。此外@@，其栅极@@阈值电压范围为@@2.5V至@@3.5V，不易因栅极@@电压噪声而发生故障@@。
新产品@@采用高度兼容的@@SOP Advance(N)封装@@。
未来@@，东芝@@将继续扩展其功率@@MOSFET产品@@线@@，通过减少损耗来提高@@电源效率@@，并帮助降低@@设备@@功耗@@。
应用@@
- 数据中心和@@通信基站等通信设备@@的电源@@
- 开关电源@@（高效率@@DC-DC转换器等@@）
特性@@
- 具有业界领先的@@[2]低@@导通电阻@@：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值@@）（VGS＝10V）
- 宽安全工作区@@
- 高额定结温@@@@：Tch（最大值@@）＝175℃
主要规格@@
（除非另有说明@@，Ta＝25℃）
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器件型号@@ |
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绝对最大额定值@@ |
漏极@@-源极@@电压@@VDSS（V） |
100 |
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漏极@@电流@@（DC）ID（A） |
Tc＝25℃ |
120 |
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结温@@Tch（℃） |
175 |
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电气特性@@@@ |
漏极@@-源极@@导通电阻@@RDS(ON) |
VGS＝10V |
3.1 |
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VGS＝6V |
6.0 |
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总栅极@@电荷@@（栅极@@-源极@@+栅极@@-漏极@@）Qg典型值@@（nC） |
83 |
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栅极@@开关电荷@@Qsw典型值@@（nC） |
32 |
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输出电荷@@Qoss典型值@@（nC） |
88 |
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输入电容@@Ciss典型值@@（pF） |
5180 |
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封装@@ |
名称@@ |
SOP Advance(N) |
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尺寸典型值@@@@（mm） |
4.9×6.1 |
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库存查询与购买@@ |
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注@@：
[1] 在设备@@运行时@@，在不关闭系统@@的情况下导通和@@关断系统@@部件的电路@@。
[2] 截至@@@@2023年@@6月的东芝@@调查@@。
[3] 脉冲宽度@@：tw＝10ms，VDS＝48V
如需了解有关新产品@@的更多信息@@@@，请访问以下网@@址@@：
TPH3R10AQM
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关于东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app
及存储装置株式会社@@
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及存储装置株式会社@@是先进的半导体和@@存储解决方案的领先供应商@@，公司@@累积了半个多世纪的经验和@@创新@@，为客户和@@合作伙伴提供分立半导体@@、系统@@LSI和@@HDD领域的杰出解决方案@@。
公司@@22,200名员工遍布世界各地@@，致力于实现产品@@价值的最大化@@，东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及存储装置株式会社@@十分注@@重与客户的密切协作@@，旨在促进价值共创@@，共同开拓新市场@@，公司@@现已拥有超过@@8,598亿日元@@（62亿美元@@）的年@@销售额@@，期待为世界各地的人们建设更美好的未来@@并做出贡献@@。
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