MOSFET

汽车级@@DCM碳化硅@@MOSFET系列模块@@@@PcoreTM2是基本半导体专为@@新能源汽车主驱逆变器应用设计的@@一款高功率密度的@@碳化硅@@功率模块@@@@

东芝已大量投放市场的@@五款新型@@@@MOSFET栅极驱动@@IC—TCK42xG系列是支持外部背对背@@MOSFET的@@器件@@，可阻止电流反向流入负载开关@@

东芝电子@@推出@@“SSM10N961L”低@@导通电阻@@30V N沟道@@共漏极@@MOSFET，适用于@@带有@@USB的@@设备@@以及电池组保护@@

首款汽车级@@@@PolarP™ P通道功率@@MOSFET产品@@ IXTY2P50PA能满足汽车应用的@@严苛要求@@，提供卓越的@@性能和@@可靠性@@。

Vishay Siliconix n沟道@@ SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低@@@@48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降@@59%，该参数是@@650 V MOSFET在功率转换应用中的@@重要优值@@系数@@（FOM）。

东芝推出@@两款采用东芝新型@@@@S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚@@）封装与@@U-MOS IX-H工艺芯片的@@车载@@40V N沟道@@功率@@MOSFET——“XPJR6604PB”和@@“XPJ1R004PB”。

芯导科技的@@@@PSM8N065R3，具有@@65V耐压@@，2.5Ω的@@导通电阻@@，优异的@@@@FOM值@@，并且特别优化了适配同步整流控制器的@@门极驱动能力和@@开关@@EMI特性@@

DMWSH120H90SM4Q 可在最高@@ 1200VDS 范围内安全可靠地运作@@，其闸极@@-源极@@ (Gate-Source) 电压@@ (Vgs) 为@@ +15/-4V，且在@@ 15Vgs 时具有@@@@ 75mΩ (典型值@@@@) 的@@ RDS(ON)规格@@

本文所讲述的@@应用@@，将帮助设计人员在各种工业应用中选择使用这些器件以提高@@效率并增加系统的@@可靠性@@

TPH3R10AQM具有@@业界领先的@@@@3.1mΩ最大漏极@@-源极@@导通电阻@@，比东芝目前@@100V产品@@“TPH3R70APL”低@@16%[