Diodes 公司@@ (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出@@ DMWSH120H90SM4Q 和@@ DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格@@的@@碳化硅@@@@ (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙@@ (Wide-Bandgap) 产品@@阵容@@。此@@系列@@ N 信道@@ MOSFET 产品@@可满足市场对@@ SiC 解决方案不断增长的@@需求@@，提升电动与@@混合动力汽车@@ (EV/HEV) 车用子系统的@@效率及功率密度@@，例如电池充电器@@、车载充电器@@ (OBC)、高效@@ DC-DC 转换器@@、马达驱动器及牵引变流器@@。
DMWSH120H90SM4Q 可在@@最高@@ 1200VDS 范围内安全可靠地运作@@，其闸极@@-源极@@ (Gate-Source) 电压@@ (Vgs) 为@@ +15/-4V，且在@@@@ 15Vgs 时具有@@ 75mΩ (典型@@值@@) 的@@ RDS(ON)规格@@。此@@装置适用于@@ OBC、汽车马达驱动器@@、EV/HEV 中的@@@@ DC-DC 转换器@@以及电池充电系统@@。
DMWSH120H28SM4Q 可在@@最高@@ 1200VDS、+15/-4Vgs 的@@条件下运作@@，且在@@@@ 15Vgs 时具有@@较低的@@@@ 20mΩ (典型@@值@@) RDS(ON)。此@@ MOSFET 适用于其他@@ EV/HEV 子系统中的@@@@马达驱动器@@、EV 牵引变流器及@@ DC-DC 转换器@@。凭借低@@ RDS(ON) 的@@特性@@，在@@需要高功率密度的@@产品@@应用中@@，此@@系列@@ MOSFET 能以较低的@@温度运作@@。
这两款产品@@均有低导热率@@ (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的@@汲极@@ (Drain) 电流高至@@ 40A，DMWSH120H28SM4Q 的@@汲极@@电流高至@@@@ 100A。此@@系列@@也内建快速且稳健的@@本体二极管@@ (Body Diodes)，具有低反向复原电荷@@ (Qrr)，在@@ DMWSH120H90SM4Q 中为@@@@ 108.52nC，在@@ DMWSH120H28SM4Q 中为@@@@ 317.93nC，因此@@能够执行快速切换@@，同时降低功率损耗@@。
Diodes 采用平面制造技术@@开发出全新@@ MOSFET，能在@@汽车产品@@应用中提供强大与@@可靠的@@效能@@，提高@@汲极电流@@、崩溃@@ (Breakdown) 电压@@、接面温度及功率环形电路@@，表现优于先前发布的@@版本@@。此@@系列@@装置采用@@ TO247-4 (WH 型@@) 封装@@，提供额外的@@凯氏感测@@ (Kelvin-sensing) 接脚@@。可连接至源极@@以优化切换效能@@，实现更高的@@功率密度@@。
DMWSH120H90SM4Q 与@@ DMWSH120 H28SM4Q 均符合@@ AEC-Q101 标准@@，由@@ IATF 16949 认证的@@设施制造@@，并支持@@ PPAP 文件@@。
关于@@ Diodes Incorporated
Diodes 公司@@ (Nasdaq：DIOD) 是一家标准@@普尔小型@@股@@ 600 指数和@@罗素@@ 3000 指数成员公司@@@@，为@@汽车@@、工业@@、运算@@、消费性电子@@及通讯市场的@@全球公司@@提供高质量半导体产品@@@@。我们拥有丰富的@@产品@@组合以满足客户需求@@，内容包括分离@@、模拟@@、逻辑与@@混合讯号产品@@以及先进的@@封装@@技术@@@@。我们广泛提供特殊应用解决方案与@@解决方案导向销售@@，加上全球@@ 32 个据点涵盖工程@@、测试@@、制造与@@客户服务@@，使我们成为@@高产量@@、高成长的@@市场中成为@@优质供货商@@。详细信息请参阅@@ www.diodes.com 。