三星@@宣布采用@@12纳米@@(nm)级工艺@@技术@@@@，开发出其容量最大的@@32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储@@器@@）。这是继@@2023年@@5月三星@@开始量产@@12纳米@@级@@16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就@@，这巩固了三星@@在开发下一代@@DRAM内存@@技术@@领域中的地位@@，并开启了大容量内存@@时代的新篇章@@。
三星@@12纳米@@级@@32Gb DDR5 DRAM（1）
三星@@电子@@存储@@器事业部内存@@开发组执行副总裁@@SangJoon Hwang表示@@：
在三星@@最新推出的@@12纳米@@级@@32Gb内存@@的基础上@@，我们可以@@研发出实现@@1TB内存@@模组@@的解决方案@@@@，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量@@DRAM内存@@日益增长的需求@@。我们将通过差异化的工艺@@与@@设计技术@@@@，继续研发内存@@解决方案@@@@，以@@突破内存@@技术@@的瓶颈@@。
三星@@自@@1983年@@开发出首款@@64千比特@@（Kb）的内存@@以@@来@@，在过去的@@40年@@间将内存@@容量提高@@了@@50万倍@@。最新开发的@@32Gb DDR5内存@@颗粒@@，采用前沿的工艺@@技术@@@@，提高@@了集成密度并优化了封装设计@@，与@@DDR5 16Gb颗粒相比@@，在相同封装尺寸情况下@@，三星@@单片@@DRAM内存@@颗粒@@容量翻倍@@。
尤其是@@，过去使用@@16Gb内存@@颗粒@@制造的@@DDR5 128GB内存@@模组@@需要采用硅通孔@@(TSV)工艺@@。而现在@@，通过使用最新开发的@@@@32Gb内存@@颗粒@@，即使不使用硅通孔@@(TSV)工艺@@也能够生产@@128GB内存@@模组@@。与@@使用@@16Gb内存@@封装的@@128GB内存@@模组@@相比@@，其功耗降低@@了约@@10%。这一技术@@突破使该产品@@成为数据中心@@等关注能效的企业的优选解决方案@@@@。
三星@@12纳米@@级@@32Gb DDR5 DRAM（2）
以@@12纳米@@级@@32Gb DDR5 DRAM为基础@@，三星@@计划继续扩充大容量内存@@产品@@阵容@@，以@@满足高性能计算和@@IT行业持续增长的需求@@。通过向数据中心@@@@，以@@及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供@@12纳米@@级@@的@@32Gb内存@@，三星@@希望巩固其在下一代内存@@市场的前沿地位@@。未来@@，该产品@@还将在三星@@与@@其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用@@。
全新@@12纳米@@级@@32Gb DDR5 DRAM计划于今年@@年@@底开始量产@@。
关于三星@@电子@@@@
三星@@以@@不断创新的思想与@@技术@@激励世界@@、塑造未来@@@@。重新定义电视@@、智能手机@@、可穿戴设备@@@@、平板电脑@@、数码电器@@、网@@络系统@@、存储@@、系统集成电路@@、半导体代工制造及@@LED解决方案@@。
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