第四代器件@@，提高@@额定功率和@@功率密度@@，降低@@导通和@@开关损耗@@，从而提升能效@@
日前@@，威世科技@@Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）宣布@@，推出新型第四代@@650 V E系列功率@@MOSFET---SiHP054N65E，提高@@通信@@@@、工业@@和@@计算@@应用能效和@@功率密度@@。Vishay Siliconix n沟道@@ SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低@@@@48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积@@下降@@59%，该参数是@@650 V MOSFET在功率转换应用中的@@重要优值系数@@（FOM）。
Vishay丰富的@@@@MOSFET技术@@全面支持功率转换过程@@，涵盖需要高压输入到低@@压输出的@@各种先进高科技设备@@@@。随着@@SiHP054N65E的@@推出@@，以及其他第四代@@600 V E系列器件的@@@@发布@@，Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高@@能效@@和@@功率密度两方面的@@要求@@，包括功率因数校正@@（PFC）和@@后面的@@@@DC/DC转换器砖式电源@@。典型应用包括服务器@@、边缘计算@@和@@数据存储@@；UPS；高强度放电@@（HID）灯和@@荧光镇流器@@；太阳能逆变器@@；焊接设备@@@@；感应加热@@；电机驱动@@；以及电池充电器@@。
SiHP054N65E采用@@Vishay先进的@@高能效@@E系列超级结技术@@@@，10V下典型导通电阻仅为@@@@0.051 Ω，从而提高@@额定功率支持@@ 2 kW以上的@@各种应用@@，器件满足符合@@开放计算@@项目@@Open Rack V3（ORV3）标准的@@需求@@。此外@@，这款@@MOSFET超低@@栅极电荷下降到@@ 72nC。器件的@@@@FOM 为@@3.67 Ω*nC，比同类接近的@@竞品@@MOSFET 低@@1.1 %。这些参数表明导通和@@开关损耗降低@@@@，从而达到节能效果@@，提高@@能效@@。器件满足服务器电源钛效应的@@特殊要求@@，或@@通信@@电源达到@@96%的@@峰值效率@@。
日前@@发布的@@@@MOSFET有效输出电容@@ Co(er) 和@@Co(tr) 典型值分别仅为@@@@115 pF和@@ 772 pF，可改善硬开关拓扑结构开关性能@@，如@@PFC、半桥和@@双开关顺向设计@@。器件的@@@@电阻与@@ Co(tr) 乘积@@FOM低@@至@@5.87 Ω*pF达到业内先进水平@@。SiHP054N65E采用@@TO-220AB封装@@，提高@@了@@dv/dt耐用性@@，符合@@RoHS和@@Vishay绿色标准@@，无卤素@@，耐受雪崩模式下电压瞬变@@，并保证极限值@@100 %通过@@UIS测试@@。
SiHP054N65E现可提供样品并已实现量产@@，关于供货周期的@@信息@@，请与当地销售部联系@@。
VISHAY简介@@
Vishay是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@@@188足彩外围@@app
系列产品制造商之一@@，这些产品对于汽车@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天和@@医疗市场的@@创新设计至关重要@@。服务于全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。