牢固耐用@@的@@GaN功率半导体@@领先企业阐述其常关@@@@D模式@@平台@@@@设计如何利用@@GaN的固有优势@@，而@@竞争对手@@E模式@@设计@@则必须降低性能@@
牢固耐用@@GaN功率半导体@@领域的全球领先企业@@Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布发布题为@@The Fundamental Advantages of D-Mode GaN in Cascode Configuration（共源共栅配置@@D模式@@GaN的基本优势@@） 的最新白皮书@@。该白皮书提供了有关共源共栅@@（常闭@@）d模式@@GaN平台@@固有优势的简要指导@@。重要的是@@@@，本文继续解释了@@e模式@@平台@@@@如何要在根本上@@（物理层面@@）削弱一些固有性能优势@@，才能提供常关@@解决方案@@。本白皮书可在此处下载@@：https://bit.ly/wpdmodeganch。
白皮书要点@@
该白皮书介绍了常关@@@@d模式@@GaN平台@@具备@@的几个关键优势@@，包括@@：
1. 实现更高性能@@：优异的@@TCR (~25%)和@@更低的动态至静态导通电阻比@@ (~25%)，从而@@降低损耗@@/提高@@效率@@，并提供更优品质因数@@ (FOM)。
2. 轻松保持更高功率运行状态@@：Transphorm d模式@@具有更高的饱和@@电流@@，而@@e模式@@必须并联才能实现相同的电流@@，但这会导致功率密度和@@可靠性降低@@。
3. 牢固耐用@@，易于驱动@@：最耐用的栅极采用硅@@MOSFET SiO2栅极接口@@，不受@@e模式@@的@@p栅极限制@@，与硅基驱动器和@@控制器兼容@@。
“宽带隙行业长期以来一直在争论常关@@@@d模式@@GaN或@@e模式@@哪种解决方案更好@@。”Transphorm业务开发和@@营销高级副总裁@@Philip Zuk表示@@， “当我们首次进入市场时@@，我们探索了这两种选择@@，并选择了常关@@@@d模式@@解决方案@@，因为这是@@最可靠的选择@@，具有最强的性能和@@广泛的驱动器兼容性@@。它还具备@@全面的长期路线图以及@@e模式@@反复验证都不具备@@的系统设计能力@@。本白皮书旨在明确解释我们为何以这种方式设计@@GaN，从而@@帮助客户深入了解他们在选择@@GaN器件时的所得所获@@。”
十多年来@@，Transphorm凭借最可靠的@@GaN平台@@成功引领行业@@，目前现场运行时间已超过@@2000亿小时@@，支持从低功率系统到高功率系统的最广泛应用@@。公司率先获得@@JEDEC资质@@。率先取得@@AEC-Q101（汽车@@）资格@@。率先发布@@900V平台@@。目前正在开发用于@@800 V电动@@汽车@@电池应用的@@1200 V演示平台@@@@。
Transphorm展示的一款四象限开关能在微型逆变器和@@双向系统等目标设计中将器件数量减少两到四个@@。此外@@，这款开关还具备@@@@5微秒的短路承受时间@@ (SCCL)，从而@@打开了价值数十亿美元的电机控制和@@电动@@汽车@@动力总成应用市场@@。
凭借其全面的产品平台@@@@，该公司已经实现了@@从数十瓦到@@7.5千瓦客户产品的设计导入和@@量产@@，其应用范围包括@@计算@@（数据中心和@@网@@络电源@@、高性能游戏@@、区块链@@、人工智能计算@@）、能源@@/工业@@（任务关键型@@UPS和@@微型逆变器@@）以及消费类适配器@@/快速充电器@@（笔记本电脑@@、移动设备@@@@、家用电器@@）。该公司将这一切归功于其最初为客户提供的常关@@@@d模式@@设计@@。
白皮书概要@@
总体而@@言@@，本白皮书讨论了@@GaN固有的物理特点@@。以及常关@@@@d模式@@GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势@@，从而@@创建具有更高可靠性@@、可设计性@@、可驱动性@@、可制造@@性和@@多功能性的卓越平台@@@@。
具体来说@@，本白皮书探讨了二维电子@@气通道@@ (2DEG) 的作用@@，这是@@一种在@@GaN HEMT栈中自发形成的自然现象@@。由于所有@@GaN平台@@（包括@@e模式@@）的核心都是@@常开@@d模式@@平台@@@@，本文将继续研究@@2DEG和@@整个平台@@的性能如何取决于是@@选择@@d模式@@还是@@@@e模式@@来关闭平台@@@@。
最后纠正有关常关@@@@d模式@@和@@@@e模式@@器件性能的一些误区@@。
白皮书获取方式@@
此白皮书可通过以下链接免费下载@@：www.transphormchina.com/document/wp-dmode-gan-advantages。
关于@@ Transphorm
Transphorm, Inc.是@@GaN创新的全球领先企业@@，为高电压功率转换应用设计和@@制造@@高性能@@、高可靠性的@@GaN半导体@@。Transphorm拥有庞大的功率@@GaN知识产权组合@@，包括@@超过@@1000个自有或@@授权专利@@。Transphorm生产了业界首款符合@@JEDEC和@@AEC-Q101标准的高电压@@GaN半导体@@器件@@。公司的垂直一体化器件业务模式@@能够实现在设计@@、制造@@、器件和@@应用支持等每一个开发阶段进行创新@@。Transphorm的创新推动电力电子@@技术@@突破了硅材料的局限@@，实现了@@99%以上的效率@@，使功率密度提高@@@@50%，系统成本降低@@20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市@@，在戈莱塔和@@日本会津设有制造@@业务@@。若要了解更多信息@@，请访问@@http://www.transphormchina.com。敬请关注我们的@@Twitter@transphormusa和@@微信@@@ Transphorm_GaN。