如今@@，移动设电子@@备@@的功能越来越多@@，性能要求越来越高@@，电路也越来越复杂@@。随着这些设备@@所使用的@@IC和@@开关数量的不断增加@@，设备@@的低功耗要求和@@延长电池寿命的矛盾也越来越突出@@。
用于@@MOSFET栅极@@驱动@@IC应用的负载开关@@恰恰可以配合电源管理@@IC动态关闭非活动电路区块@@，在降低功耗@@、节省电力的同时提高@@可靠性@@。根据需求和@@产品的不同@@，除了开关功能外@@，负载开关@@IC还可以提供过压及欠压保护@@、热关断@@、反向电流阻断@@、过流限制@@、转换速率控制@@、输出放电等功能@@。
东芝@@已大量投放市场的五款新型@@@@MOSFET栅极@@驱动@@IC—TCK42xG系列@@（TCK420/2/3/4/5G）是支持外部背对背@@@@MOSFET的器件@@，可阻止电流反向流入负载开关@@@@。其最大亮点是具备@@宽输入电压范围@@且内置充电泵电路@@@@，有助于实现移动电子@@设备@@的小型化@@。
什么是@@MOSFET栅极@@驱动@@IC
作为一种用于@@外部@@N沟道@@MOSFET的开关控制器件@@，MOSFET栅极@@驱动@@IC内置了电荷泵和@@保护电路@@。MOSFET栅极@@驱动@@电路由两个@@正向转换器构成@@，一个是对功率@@MOSFET栅极@@电容充电的转换器@@；另一个是对其栅极@@电容放电的转换器@@。
MOSFET栅极@@驱动@@IC采用@@超紧凑型封装@@@@，具有低静态电流和@@宽输入电压@@。将其与@@N沟道@@MOSFET结合使用@@时@@，可实现小尺寸和@@低损耗的电源@@@@。
东芝@@的@@MOSFET栅极@@驱动@@IC具有多种过压锁定功能@@，可用于@@单高边@@@@、背对背@@负载开关@@和@@电源多路复用器@@。不仅如此@@，东芝@@可提供模拟@@、开关评估和@@安全工作区等各种技术@@数据的支持@@。
所谓外部背对背@@@@MOSFET是指当使用栅极@@驱动@@@@IC负载开关@@来阻止电流反向流入负载开关@@时@@，两个@@N沟道@@MOSFET在外部背对背@@连接@@（共源结构或@@共漏结构@@），也称为反向电流阻断@@@@。
什么是@@MOSFET栅极@@驱动@@IC
东芝@@TCK42xG系列@@MOSFET栅极@@驱动@@IC
其主要特性如下@@
（1）宽输入电压范围@@，栅源极之间带保护电路@@，内置充电泵电路@@
（2）内置电荷泵电路@@，栅极@@-源极电压设置@@（5.6V、10V取决于输入电压@@）
（3）过压锁定支持@@5V至@@24V
（4）低输入关断电流@@：IQ(OFF)＝0.5μA（最大值@@）@VIN＝5V
东芝@@TCK42xG系列@@主要规格@@
功能特性分析@@
东芝@@TCK42xG系列@@MOSFET栅极@@驱动@@IC新增的五款产品配备@@了过压锁定功能@@，能根据输入电压控制外部@@MOSFET的栅极@@电压@@。
新产品具体包括@@：用于@@24V电源的@@TCK420G；用于@@12V电源的@@TCK422G和@@TCK423G；用于@@9V电源的@@TCK424G；以及用于@@@@5V电源的@@TCK425G。这些产品与已经推出的用于@@@@20V电源的@@TCK421G共同构成了完整的产品线@@。
这五款产品推出后@@，用户可以在@@TCK42xG系列@@中选择@@10V和@@5.6V两种类型的栅源电压@@（覆盖更多规格@@MOSFET）。凭借输入过压锁定功能的多种检测电压@@，该产品可用于@@@@5V至@@24V的电源@@。如果与外部背对背@@@@MOSFET结合使用@@，可适用于@@具有反向电流阻断@@功能的负载开关@@电路@@或@@电源多路复用器电路@@@@。
负载开关@@电路@@（单高边@@、背对背@@）
电源多路复用器电路@@
除此之外@@，其内置的电荷泵电路支持@@2.7V至@@28V宽输入电压范围@@，因此经过间歇操作@@，可为外部背对背@@@@MOSFET的栅极@@和@@源极之间提供稳定的电压@@—这种方式允许大电流切换@@。
TCK42xG采用@@WCSP6G（1.2mm×0.8mm芯片级@@）封装@@，是业内最小的封装@@类型之一@@，有助于实现可穿戴设备@@@@、智能手机等小型设备@@的高密度贴装@@，从而缩小系统尺寸@@。
产品应用方向@@
东芝@@还开发了基于@@TCK42xG的电源@@多路复用器参考设计@@，帮助用户快速@@、便捷地开发产品@@。
电源多路复用器电路@@板@@
一直以来@@，东芝@@都致力于为业界提供更好的产品与服务@@，欢迎大家前往东芝@@半导体@@官网@@了解更多信息@@！
来源@@：东芝@@半导体@@