采用沟槽型@@碳化硅@@@@MOSFET芯片@@的低@@导通电阻@@转模型功率模块@@@@@@
汽车级@@DCM碳化硅@@MOSFET系列模块@@@@PcoreTM2是基本半导体@@专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅@@功率模块@@@@@@。
该产品为业内主流@@DCM封装模块@@@@，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术@@@@，使用氮化硅@@AMB陶瓷基板@@，以及直接水冷的@@@@PinFin结构@@。产品具有低@@动态损耗@@、低@@导通电阻@@、高阻断电压@@、高电流密度@@、高可靠性@@等特点@@，可支持连续运行@@峰值结温至@@175℃，以及具备@@@@650Arms以上连续峰值相电流输出@@。
产品特点@@
沟槽型@@、低@@RDS(on) 碳化硅@@MOSFET芯片@@
双面有压型银烧结@@
DTS（Die Top System）连接系统@@
高密度铜线绑定技术@@@@
高性能氮化硅@@AMB陶瓷板@@
直接水冷的@@PinFin结构@@
更低@@的热阻@@Rth(j-f)<0.09 K/W
应用优势@@
低@@开关损耗@@
低@@杂散电感@@
高输出功率密度@@
工作结温高达@@175℃(连续运行@@)
适配主驱逆变器应用优化特性@@
多种芯片@@并联组合形式@@
高可靠性@@
应用领域@@
新能源乘用车@@、商用车等的电力驱动系统@@
燃料电池能源转换系统@@
产品列表@@
关于基本半导体@@@@
深圳基本半导体@@有限公司是中国第三代半导体创新企业@@，专业从事碳化硅@@功率器件的研发与产业化@@。公司总部位于深圳@@，在北京@@、上海@@、无锡@@、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地@@。公司拥有一支国际化的研发团队@@，核心成员包括二十余位来自清华大学@@、中国科学院@@、英国剑桥大学@@、德国亚琛工业大学@@、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士@@。
基本半导体@@掌握碳化硅@@核心技术@@@@，研发覆盖碳化硅@@功率半导体的材料制备@@@@、芯片@@设计@@、晶圆制造@@、封装测试@@、驱动应用等产业链关键环节@@，拥有知识产权两百余项@@，核心产品包括碳化硅@@二极管和@@MOSFET芯片@@、汽车级@@碳化硅@@功率模块@@@@@@、功率器件驱动芯片@@等@@，性能达到国际先进水平@@，服务于光伏储能@@、电动汽车@@、轨道交通@@、工业控制@@、智能电网@@等领域的全球数百家客户@@。
基本半导体@@承担了国家工信部@@、科技部及广东省@@、深圳市的数十项研发及产业化项目@@，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心@@，是国家@@5G中高频器件创新中心股东单位之一@@，获批中国科协产学研融合技术@@创新服务体系第三代半导体协同创新中心@@、广东省第三代半导体碳化硅@@功率器件工程技术@@研究中心@@。