积塔半导体@@联合国内领先的新型铁电存储器@@供应商无锡舜铭存储科技有限公司合作开发@@，于@@2023年@@12月成功推出国内首款@@110纳米技术@@的新型铁电存储器@@产品@@。与现有技术@@相比@@，新产品面积缩小约@@40%~60%，性能大幅度提升@@，将于@@@@2024年@@一季度正式量产@@。
该项技术@@由积塔半导体@@模拟与数模混合研发处@@（TD2）MCU研发团队@@，历经一年@@研发成功@@，完成了新型铁电技术@@的三项重大突破@@，第一@@，新型铁电技术@@首次在@@@@110nm技术@@节点实现量产@@；第二@@，新型铁电存储器@@的可靠性比现有技术@@提升了@@10倍@@；第三@@，实现了新型铁电存储技术@@从平面结构存储单元到@@3D结构存储单元的跨越@@。
FeRAM（铁电随机存取存储器@@Ferroelectric RAM），采用铁电质膜用作电容器来存储数据@@，同时具有@@ROM（只读存储器@@）和@@RAM（随机存取器@@）的特点@@，在@@高速读写入@@、高读写耐久性@@、低功耗@@和@@防窜改方面具有优势@@，被认为是未来存储器发展方向之一@@。
此次推出的铁电存储器@@技术@@是基于@@铪基氧化物的新型铁电存储技术@@@@。相比于@@传统的存储器技术@@@@，该技术@@拥有高速读写@@，高耐久性@@，低功耗@@，抗电磁干扰和@@抗辐照等特点@@，性能优越@@，可靠性高@@，非常适用于@@车载@@，电力@@，工控@@，和@@可穿戴等场景@@，并且在@@人工智能领域也有广泛的应用前景@@。
积塔半导体@@将继续发力@@，在@@3D架构和@@更先进工艺节点开发新型存储器技术@@@@，进一步降低成本和@@提升产品性能@@，为实现新型存储器多元化@@，产业链自主创新而努力奋斗@@。