积塔半导体率先推出@@110nm新型铁电存储器工艺技术@@@@
judy -- 周三@@, 01/31/2024 - 10:01
与现有技术@@相比@@@@，新产品面积缩小约@@40%~60%，性能大幅度提升@@，将于@@2024年一季度正式量产@@。
FeRAM（Ferroelectric Random-Access Memory）是一种非易失性存储器技术@@@@，它使用铁电材料作为存储单元@@，具有快速的读写速度@@、低功耗和长寿命等特点@@。与传统的存储器技术@@@@（如@@DRAM和闪存@@）相比@@，FeRAM在某些应用中具有独特的优势@@。