英飞凌@@推出全新@@CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度@@

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX/OTCQX代码@@：IFNNY）推出采用@@@@TO-247PLUS-4-HCC封装@@的@@全新@@CoolSiC™ MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求@@，而且即使面对严格的高电压和@@开关频率要求@@，也不会降低系统可靠性@@。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压@@，可在不增加电流的情况下提高@@功率@@。作为市面上第一款击穿电压达到@@2000V的碳化硅分立器件@@，CoolSiC™ MOSFET采用@@TO-247PLUS-4-HCC封装@@，爬电距离为@@14mm，电气间隙为@@5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗@@，适用于太阳能@@（如组串逆变器@@）以及储能系统和@@电动汽车充电应用@@。

CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列@@适用于最高@@1500 VDC的高直流电压母线系统@@。与@@1700V SiC MOSFET相比@@，这些器件还能为@@1500 VDC系统的过压提供更高的裕量@@。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为@@4.5V，并且配备@@了坚固的体二极管@@来实现硬换向@@。凭借@@.XT连接技术@@@@，这些器件可提供一流的散热性能@@，以及高防潮性@@。

除了@@2000V CoolSiC™ MOSFET之外@@，英飞凌@@很快还将推出配套的@@CoolSiC™二极管@@：首先将于@@2024年第三季度推出采用@@@@@@TO-247PLUS 4引脚封装@@的@@@@2000V二极管@@产品组合@@，随后将于@@2024年第四季度推出采用@@@@@@TO-247-2封装@@的@@2000V CoolSiC™二极管@@产品组合@@。这些二极管@@非常适合太阳能应用@@。此外@@，英飞凌@@还提供与@@之匹配的栅极驱动器产品组合@@。