东芝@@推出@@采用新型高散热封装的车载@@40V N沟道@@功率@@MOSFET
judy -- 周五@@, 02/03/2023 - 10:55源极引脚采用多针结构@@,与现有的@@TO-220SM(W)封装相比@@,封装电阻下降大约@@30%,从而将@@XPQR3004PB的漏极额定电流@@(DC)提高@@到@@400A,高出当前产品@@1.6倍@@
源极引脚采用多针结构@@,与现有的@@TO-220SM(W)封装相比@@,封装电阻下降大约@@30%,从而将@@XPQR3004PB的漏极额定电流@@(DC)提高@@到@@400A,高出当前产品@@1.6倍@@
东芝@@集团近日宣布将在日本兵库县建设新的功率半导体器件@@、模块@@制造设施@@。项目预计于@@2025年春季投产@@,有望将东芝@@在该基地的车规功率半导体产能增加一倍@@以上@@。
新开发的双栅极@@RC-IEGT结合栅极控制技术@@@@,关断和@@导通损耗分别比传统单栅极结构降低@@24%和@@18%,反向恢复损耗降低@@32%。因此@@,实际测量值中总开关损耗降低@@24%,而导通损耗没有任何增加@@。
这次新的合作安排源于两家公司都希望将东芝@@领先的解决方案推向更广泛的市场@@/应用中@@,包括汽车@@、工业@@、物联网@@@@、运动控制@@、电信@@、网@@络@@、消费者和@@白色家电应用@@。
东芝@@推出@@其面向@@20V电源线路的新款@@“TCK42xG系列@@”MOSFET栅极驱动@@IC中的首款产品@@---“TCK421G”。该系列@@器件专门用于控制外部@@N沟道@@MOSFET的栅极电压@@(基于输入电压@@),同时具备@@过压锁定功能@@。
新器件内置高电压@@MOSFET,输出耐压可达@@1500V(最小值@@)。
新产品配有东芝@@开发的高发光效率@@LED,最大触发@@LED电流为@@@@2mA。这比当前产品低@@33%左右@@,因而支持较低的输入功率@@。缩短开关时间的特性可确保更快的运行@@:TLP223GA为@@50%,TLP223J为@@75%。