功率器件@@

高压功率系统设计人员努力满足硅@@MOSFET和@@IGBT用户对持续创新的需求@@。基于硅的解决方案在效率和@@可靠性方面通常无法兼得@@

文章针对这两类拓扑进行参数设计@@，选取三种功率器件@@方案@@，参考实际应用参数@@，利用@@PLECS平台进行仿真分析@@，综合对比三种功率器件@@在损耗@@、结温@@、效率和@@成本等方面的特点与差异@@。

本文追溯了@@SiC FET的起源和@@发展@@，直至最新一代产品@@，并将其性能与替代技术@@进行了比较@@。

本文介绍了一种新的用于大功率应用的@@XHP™ 2 IGBT模块@@，包括低杂散电感设计原理@@、开关特性和@@采用@@@@IGBT5/.XT技术@@可以延长模块@@的使用寿命等关键点@@。

本文对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点@@、性能和@@应用情况进行了分析和@@综述@@。

TLP5222采用@@SO16L封装@@，可确保@@8mm（最小值@@）的爬电距离和@@电气间隙@@，适用于需要实现较高绝缘性能的设备@@@@。

众所周知@@，各个行业各个领域都有其需要遵循的标准规范@@，一般会对其产品需要达到的使用条件提出各方面的要求@@。

应用笔记是汇总@@了用户开发流程各阶段所需的技术@@信息的文档@@，从基础到实践性内容全方位支持客户@@。在此@@，将分@@ 4 大步骤@@介绍为成功进行热设计所准备@@的应用笔记@@。

在电子@@设备@@的世界里@@，电器的电源效率也是评定其工作能力的重要指标@@。那么@@，该如何提高@@机器设备@@的效率呢@@？今天@@要给大家介绍一款能够降低电机功率损耗的@@600V小型智能功率器件@@@@（IPD）

在实际应用中@@，工程师们都会遇到一个相同的困惑@@：器件的选型着实令人头疼@@。对此@@，小编感同身受@@。今天@@，我们就一起来看看@@MOSFET和@@IGBT之间的有哪些异同点@@，在选型时应着重查看哪些参数@@。