GaN

这些@@SMD提供@@Transphorm专利@@SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性@@和@@性能优势@@，并采用为竞品@@e-mode GaN器件常用的封装配置@@

氮化镓@@正取代硅@@，越来越多地用于需要更大功率密度和@@更高能效的应用中@@

ROHM确立了一项超高速驱动@@控制@@@@IC技术@@，利用该技术@@可更大程度地激发出@@GaN等高速开关器件的性能@@。

本文将为大家重点说明利用@@ NCP51820 设计高性能@@ GaN 半桥栅极驱动@@电路必须考虑的@@ PCB 设计注意事项@@

三芯片解决方案提供@@可配置的@@ GaN 偏置点自动校准@@，使工程师能够在不改变电路板设计的情况下最大限度地提高@@不同@@ GaN 功率放大器@@ (PA) 的系统性能@@

纳芯微全新推出@@GaN相关产品@@@@，包含@@GaN驱动@@NSD2621与集成化的@@Power Stage产品@@NSG65N15K，均可广泛适用于快充@@、储能@@、服务器电源等多种@@GaN应用场景@@。

KYOCERA AVX和@@VisIC Technologies扩大合作@@，开展下一代电动汽车应用@@GaN技术@@开发@@

本文将介绍使用不同类型的@@ GaN FET 进行设计来提高@@系统设计的功率密度所需考虑的最重要因素@@。

GaN产业已经建立一套方法来保证@@GaN产品@@的可靠性@@@@，因此问题并不在于@@“GaN是否可靠@@？”，而是@@“如何验证@@GaN的可靠性@@？”

意法半导体发布@@了公司首款采用氮化镓@@@@(GaN)晶体管的功率变换器@@件@@VIPerGaN50，能够简化最高@@50W的单开关反激式功率变换器@@设计@@