IGBT

IGBT主要用于@@电机驱动和@@各类变流器@@，IGBT的@@抗短路能力是系统可靠运行和@@安全的@@保障之一@@，短路保护@@可以通过串在@@回路中的@@分流电阻或@@退饱和@@检测等@@多种方式实现@@。

功率@@MOSFET用户都非常熟悉@@“静电敏感器件@@@@”警告标志@@。然而@@，越熟悉越容易大意@@。从统计的@@角度来看@@，单个@@MOSFET不太可能被静电放电损坏@@@@。然而@@，在@@处理成千上万个@@MOSFET时@@，极小的@@故障都可能带来极大的@@影响@@。

在@@IGBT时@@代@@，门极电压的@@选择比较统一@@，无非@@Vge=+15V/-15V或@@+15V/-8V或@@+15V/0V这几档@@。而在@@新兴的@@@@SiC MOSFET领域@@，还未有约定俗成的@@门极电压规范@@。本文就@@SiC MOSFET的@@门极电压选择上的@@困惑@@，提供些有用的@@参考@@。

IGBT作为一种功率@@开关@@，从门级信号到器件@@开关过程需要一定反应时@@间@@，就像生活中开关门太快容易挤压手一样@@，过短的@@开通脉冲可能会引起过高的@@电压尖峰或@@者高频震荡问题@@。

与分立产品设计相比@@，IGBT IPM在@@易于设计@@、安全性@@、可靠性和@@节省空间@@等@@方面具有诸多优点@@。 IGBT IPM的@@可定制性较差@@，但其本质上的@@使用方法就是根据应用产品选择合适的@@@@IGBT IPM。

功率@@半导体驱动电路是集成电路的@@一个重要子类@@，功能强大@@，用于@@IGBT的@@驱动@@IC除了提供驱动电平和@@电流@@，往往带有驱动的@@保护@@功能@@，包括退饱和@@短路保护@@@@、欠压关断@@、米勒钳位@@、两级关断@@、软关断@@、SRC(slew rate control)等@@

随着汽油成本上升以及人们对汽车尾气排放带来的@@环境问题的@@日益关注@@，汽车工业@@正在@@加快研究开发油耗更低@@、功率@@密度更高@@、鲁棒性更强的@@新型动力传动系统@@。

英飞凌推出了采用@@TO247PLUS封装@@的@@全新@@EDT2 IGBT，该器件@@符合并超越了车规级半导体分立器件@@应力测试标准@@AECQ101，能大幅提升逆变器系统的@@性能和@@可靠性@@。

此次新发售的@@@@2kV工业@@LV100封装@@T系列@@IGBT模块是为@@DC1500V电力变换器设计的@@@@2kV耐压产品@@，主要可用于@@几百千瓦到几兆瓦级的@@大容量系统@@，以满足可再生能源的@@供电需求@@。

IGBT是一种电压驱动的@@电子@@开关@@，正常情况下只要给@@15V电压就可以饱和@@导通@@，实际器件@@的@@驱动@@是给栅极端口电容充放电@@，还是需要电流的@@@@。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻@@，电流取决于栅极电荷@@，但我们一般讲的@@是峰值电流@@。