村田@@制作所的高容量密度硅电容器采用半导体@@MOS工艺开发@@,并使用@@三维技术@@来大幅增加电容器表面积@@,从而在@@不增加电容器占位面积的情况下@@,尽可能增加电容量@@。Murata硅技术@@是基于嵌在@@单晶基材中的单片结构@@(单层@@MIM和多层@@MIM -- 金属绝缘体金属@@)。
更小尺寸@@,更高性能@@@@
这种先进的@@3D拓扑结构可在@@惊人的@@100 μm厚度内实现相当于@@80层陶瓷层的有效容值@@区域@@(可根据要求提供低容值@@)。...
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