金博宝娱乐@@ 概要@@
SK海力士@@（或@@‘公司@@’，https://www.skhynix.com）21日宣布@@，公司@@成功开发出面向@@AI的超高性能@@DRAM新产品@@HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证@@@@。
1HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个@@DRAM，与@@DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值@@、高性能产品@@。HBM DRAM产品以@@HBM（第一代@@）、HBM2（第二代@@）、HBM2E（第三代@@）、HBM3（第四代@@）、HBM3E（第五代@@）的顺序开发@@。 HBM3E是@@HBM3的扩展@@（Extended）版本@@。
SK海力士@@强调@@：“公司@@以唯一量产@@@@HBM3的经验为基础@@，成功开发出全球最高性能的扩展@@版@@HBM3E。并凭借业界最大规模的@@HBM供应经验和@@量产@@成熟度@@，将从明年上半年开始投入@@HBM3E量产@@，以此夯实在@@面向@@AI的存储器市场中独一无二的地位@@。”
据公司@@透露@@， HBM3E不仅满足了用于@@AI的存储器必备@@的速度规格@@，也在@@发热控制和@@客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平@@。
此次产品在@@速度方面@@，最高每秒可以处理@@1.15TB（太字节@@）的数据@@。其相当于在@@@@1秒内可处理@@230部全高清@@（Full-HD，FHD）级电影@@（5千兆字节@@，5GB）。
与@@此同时@@，SK海力士@@技术@@团队在@@该产品上采用了@@Advanced MR-MUF2最新技术@@@@，其散热性能与@@上一代相比提高@@@@10%。HBM3E还具备@@了向后兼容性@@@@（Backward compatibility）3，因此客户在@@基于@@HBM3组成的系统中@@，无需修改其设计或@@结构也可以直接采用新产品@@@@。
2MR-MUF：将半导体芯片堆叠后@@，为了保护芯片和@@芯片之间的电路@@，在@@其空间@@中注入液体形态的保护材料@@，并进行固化的封装工艺技术@@@@。与@@每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较@@，工艺效率更高@@，散热方面也更加有效@@。
3向后兼容性@@（Backward compatibility）：指在@@配置为与@@旧版产品可兼容的@@IT/计算@@系统内@@，无需另行修改或@@变更即可直接使用新产品@@@@。例如@@，对@@CPU或@@GPU企业@@，如果半导体存储器新产品@@具有向后兼容性@@@@，则无需进行基于新产品@@的设计变更等@@，具有可直接使用现有@@CPU/GPU的优点@@。
英伟达@@Hyperscale和@@HPC部门副总裁伊恩@@·巴克@@（Ian Buck）表示@@：“英伟达@@为了最先进加速计算@@解决方案@@(Accelerated Computing Solutions)所应用的@@HBM，与@@SK海力士@@进行了长期的合作@@。为展示新一代@@AI计算@@，期待两家公司@@在@@@@HBM3E领域的持续合作@@。”
SK海力士@@DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示@@@@：“公司@@通过@@HBM3E，在@@AI技术@@发展的同时备@@受瞩目的@@HBM市场中有效提升了产品阵容的完成度@@，并进一步夯实了市场主导权@@。今后随着高附加值产品@@HBM的供应比重持续加大@@，经营业绩反弹趋势也将随之加速@@。”
关于@@SK海力士@@
SK海力士@@总部位于韩国@@，是@@一家全球领先的半导体供应商@@，为全球客户提供@@DRAM（动态随机存取存储器@@），NAND Flash（NAND快闪存储器@@）和@@CIS（CMOS图像传感器@@）等半导体产品@@。公司@@于韩国证券交易所上市@@，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市@@。若想了解更多@@，请点击公司@@网@@站@@www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。