氮化镓@@

TE系列采用@@宽带隙氮化镓@@半导体@@、高频平面变压器和@@增强型反激拓扑等先进技术@@@@，12V和@@24V输出型为承受峰值负载@@，可提供@@@@140%的@@功率@@

Power Integrations专有的@@@@1250V PowiGaN技术@@的@@开关损耗不到相同电压下同等硅器件@@开关损耗的@@三分之一@@

本文简要讨论了氮化镓@@的@@优势及其设计挑战@@。然后@@，介绍了@@Power Integrations的@@三个带有内部氮化镓@@功率开关的@@集成离线反激式转换开关@@ IC 平台@@

氮化镓@@技术@@将继续在国防和@@电信市场提供@@高性能和@@高效率@@@@。射频应用目前主要是碳化硅基氮化镓@@@@（GaN-on-SiC）器件@@

新产品@@ STGAP2GS缩小了芯片尺寸@@，降低了物料清单成本@@，能够满足应用对宽禁带芯片的@@能效以及安全性和@@电气保护的@@更高要求@@

Qorvo的@@SiC FET技术@@用于采用@@@@TO-Leadless（TOLL）封装@@的@@@@750V器件@@开发@@，并扩大了其领先优势@@。那么@@，如此小巧的@@@@TOLL封装@@能带来什么@@？

英诺赛科@@推出@@两款@@ 100V 新品氮化镓@@功率器件@@@@，旨在提高@@电源@@功率转换效率@@，降低系统损耗与成本@@

英诺赛科@@推出@@多款采用@@@@TO252 / TO220 封装@@的@@@@直驱氮化镓@@芯片@@，基于先进的@@@@8英寸硅基氮化镓@@技术@@@@，耐压从@@650V升级到@@700V，并迅速量产出货@@

Transphorm FET利用简单的@@半桥门驱动器实现高达@@99%的@@效率@@，验证了在超过一千瓦的@@宽广功率范围内具有成本效益的@@设计方案@@

Nexperia的@@新产品@@包括五款额定电压为@@650 V的@@E-mode GaN FET（RDS(on)值介于@@80 mΩ至@@190 mΩ之间@@），提供@@DFN 5x6 mm和@@DFN 8x8 mm两种封装@@@@