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全新@@RX23E-B相比现有版本数据速率快@@8倍@@，并包含@@125 kSPS ΔΣ A/D转换器@@

TE系列采用宽带隙氮化镓@@半导体@@、高频平面变压器和@@增强型反激拓扑等先进技术@@@@，12V和@@24V输出型为承受峰值负载@@，可提供@@140%的功率@@

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本文将解读@@PMIC如何用于设计和@@控制雷达@@、无线基础设施@@、卫星通信和@@其他应用@@中的@@RF GaN PA技术@@

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2023-11-21 | 英飞凌@@, IGBT

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英飞凌@@科技公司已在@@菲拉赫工厂制备@@@@ 200 毫米@@（8 英寸@@）碳化硅晶圆@@的电气样品@@，并正在@@考虑进军氢能业务@@

FDA117专为使用浮动电压源控制分立标准功率@@MOSFET和@@IGBT而设计@@，可确保低压驱动输入侧和@@高压负载输出侧之间的隔离@@

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