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SEMulator3D

为刻蚀终点探测进行原位测量@@

随着半导体器件尺寸缩减@@、工艺复杂程度提升@@,制造工艺中刻蚀工艺波动的影响将变得明显@@。刻蚀终点探测用于确定刻蚀工艺是否完成@@、且没有剩余材料可供刻蚀@@

半大马士革集成中引入空气间隙结构面临的挑战@@

随着器件微缩至@@3nm及以下节点@@,后段模块处理迎来许多新的挑战@@,这使芯片制造商开始考虑新的后段集成方案@@

使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺@@

随着技术@@推进到@@1.5nm及更先进节点@@,后段器件集成将会遇到新的难题@@,比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程@@