英诺赛科发布@@60V GaN,为@@PD3.1提供更多选择@@
judy -- 周三@@, 03/20/2024 - 14:54INN060FQ043A 采用@@ FCQFN 3mm*4mm 封装@@,导通电阻@@ 4.3mΩ,在与@@ 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装@@尺寸及导通电阻@@保持一致的基础上@@,将耐压等级提升到@@60V
INN060FQ043A 采用@@ FCQFN 3mm*4mm 封装@@,导通电阻@@ 4.3mΩ,在与@@ 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装@@尺寸及导通电阻@@保持一致的基础上@@,将耐压等级提升到@@60V
面对@@GaN在消费电子@@领域应用现状@@,相关企业开始寻求新的增量市场@@,GaN技术@@应用由此逐步向新能源汽车@@、光伏@@、数据@@中心等其他应用场景延伸@@
英诺赛科宣布推出@@100V车规级@@氮化镓器件@@@@INN100W135A-Q,该器件@@已通过@@AEC-Q101 认证@@
为@@加速实现碳中和@@@@,正在实施各种电气化和@@节能化举措@@。
TE系列采用@@宽带隙氮化镓半导体@@、高频平面变压器和@@增强型反激拓扑等先进技术@@@@,12V和@@24V输出型为@@承受峰值负载@@,可提供@@140%的功率@@@@
本文将解读@@PMIC如何用于设计和@@控制雷达@@、无线基础设施@@、卫星通信和@@其他应用中的@@RF GaN PA技术@@
本文简要讨论了氮化镓的优势@@及其设计挑战@@。然后@@,介绍了@@Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率@@开关的集成离线反激式转换开关@@ IC 平台@@
电机驱动设计方面的技术@@进步为@@我们开启了许多大门@@。例如在运动控制系统中@@,更高精度@@、效率和@@控制能力给用户体验性和@@安全性@@
本白皮书讨论了@@GaN固有的物理特点@@。以及常关@@@@d模式@@GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势@@
据@@Yole预测@@,预计到@@ 2028 年@@,功率@@ GAN 市场将占电力电子@@市场的@@ 6% 以上@@。其中@@,消费类快速充电器和@@适配器仍然是@@ Power GaN 的主要驱动力@@