650 V、20 A碳化硅@@整流器模块适用于@@3 kW至@@11 kW功率堆栈设计的@@高频电源应用@@，以满足工业电源@@、EV充电站和板载充电器等应用的@@需要@@。
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅@@金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的@@续航里程延长多达@@ 5%
电源设计人员面临着提供更高效@@、更可靠和体积更小的@@解决方案的@@挑战@@，他们正在寻求@@ SiC 等新技术@@来帮助他们应对这些挑战并降低总成本@@。
新的@@@@650V、20A碳化硅@@整流器模块适用于@@3kW 至@@11kW功率堆栈设计的@@高频电源应用@@，以满足工业电源@@、 EV充电站和板载充电器等应用的@@需要@@
本文将回顾该领域的@@发展@@，同时比较机械保护和使用不同半导体器件@@实现的@@固态断路器@@ (SSCB) 的@@优缺点@@
如今@@，大多数半导体都是以硅@@（Si）为基材料@@，但近年来@@，一个相对新的@@@@半导体基材料正成为头条金博宝娱乐@@@@ 。这种材料就是碳化硅@@@@，也称为@@SiC
氮化镓技术@@将继续在国防和电信市场提供高性能和高效率@@。射频应用目前主要是碳化硅@@基氮化镓@@（GaN-on-SiC）器件@@
在工业@@、汽车和可再生能源应用中@@，基于宽禁带@@ (WBG) 技术@@的@@组件@@，比如@@ SiC，对提高@@能效至@@关重要@@
要想让设备@@不断实现更好的@@节能指标@@，用功率器件@@取代传统开关是必要的@@一步@@。可以说@@，功率器件@@创新的@@@@方向就是为了打造更节能的@@社会@@
Qorvo的@@SiC FET技术@@用于采用@@TO-Leadless（TOLL）封装的@@@@750V器件@@开发@@，并扩大了其领先优势@@@@。那么@@，如此小巧的@@@@TOLL封装能带来什么@@？