与东芝目前采用@@3引脚@@TO-247封装的@@产品@@@@TW045N120C相比@@，新型@@TW045Z120C的@@开通损耗降低了约@@40%，关断损耗降低了约@@34%
新模块@@采用东芝第@@3代@@SiC MOSFET芯片@@，其漏极电流@@（DC）额定值为@@@@250A，适用于光伏发电系统和@@储能系统等使用@@DC 1500V的@@应用@@
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基@@MOSFET和@@SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术@@的@@性能优势@@，以及成熟硅基功率器件的@@易用性@@
碳化硅@@ (SiC)是一种新兴的@@新型@@宽禁带@@ (WBG) 材料@@，特别适用于具有挑战性的@@应用@@@@。然而@@，大家对它的@@诸多不了解限制了设计人员对它的@@充分利用@@
在未来十年@@及以后@@，规模经济将继续降低碳化硅@@器件的@@成本@@，主要驱动因素是器件制造向@@8英寸碳化硅@@晶圆的@@过渡@@
DMWSH120H90SM4Q 可在最高@@ 1200VDS 范围内安全可靠地运作@@，其闸极@@-源极@@ (Gate-Source) 电压@@ (Vgs) 为@@ +15/-4V，且在@@ 15Vgs 时具有@@ 75mΩ (典型值@@) 的@@ RDS(ON)规格@@
全球范围内正在经历一场能源革命@@。根据国际能源署的@@报告@@，到@@ 2026 年@@，可再生能源将占全球能源增长量的@@大约@@ 95%
在本文中@@，我们介绍@@ IGBT 器件的@@结构和@@运行@@，并列举多种不同@@ IGBT 应用的@@电路拓扑结构@@
根据该合作协议@@，双方在@@2024年@@至@@2030年@@间的@@交易额将超过@@1300亿日元@@。
本文介绍@@Nexperia（安世半导体@@）如何将先进的@@器件结构与创新工艺技术@@结合在一起@@，以进一步提高@@@@ SiC 肖特基二极管的@@性能@@。