碳化硅@@

碳化硅@@(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料@@。它具有多种优异的性能特点@@,使其成为了替代@@传统硅@@(Silicon,Si)材料的重要选择之一@@。

Diodes推出首款碳化硅@@萧特基势垒二极管@@ (SBD)

这些宽带隙@@ SBD 的优点包括可大幅提高@@效率和高温可靠性@@,同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求@@。

Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大@@、最先进的碳化硅@@器件制造工厂@@

将成为全球最大的@@200mm 半导体工厂@@,采用创新性制造工艺来生产下一代@@碳化硅@@器件@@

罗姆@@(ROHM)第@@4代@@:技术@@回顾@@

TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆@@第@@@@4代@@金氧半场效晶体管@@,并于@@2022年@@7月公布了首批图像@@

碳化硅@@MOSFET尖峰的抑制@@

SiC MOSFET 作为第@@三代@@宽禁带半导体具有击穿电场高@@、热导率高@@、电子@@饱和速率高@@、抗辐射能力强等优势@@,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大@@

TechInsights对于@@“碳化硅@@JFETs原子探针层析成像@@”的探讨@@

去年@@@@,TechInsights通过@@一系列@@188金宝搏@@ 展示了电气特性的力量@@,对于@@揭示碳化硅@@器件规格书远远不能提供的碳化硅@@器件特性@@

UintedSiC银烧结技术@@在碳化硅@@市场中独树一帜@@

在涉及电子@@产品@@,尤其是集成半导体时@@,体积至关重要@@。数十年@@来@@,行业发展一直符合摩尔定律@@,它预测晶体管成本会年@@年@@降低@@

碳化硅@@器件在@@UPS中的应用研究@@

本文分析了目前不间断电源@@(UPS)在互联网@@数据中心中的应用和发展趋势@@。

AMP 创新型电动汽车充电解决方案采用@@ Wolfspeed E-系列碳化硅@@器件@@

通过@@采用@@ Wolfspeed 创新型碳化硅@@技术@@@@,将助力@@ AMP 优化电池性能@@、充电和成本@@。

SiC助力轨道交通驶向@@“碳达峰@@”

本文我们将重点介绍第@@三代@@半导体中的@@SiC(碳化硅@@)如何助力轨道交通完成@@“碳达峰@@”目标@@

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究@@

在功率器件半导体领域@@,越来越需要高频高功率耐高温的功率器件@@,随着时间发展@@,硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限@@