Diodes推出首款碳化硅@@萧特基势垒二极管@@ (SBD)
judy -- 周三@@, 02/08/2023 - 14:47这些宽带隙@@ SBD 的优点包括可大幅提高@@效率和高温可靠性@@,同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求@@。
这些宽带隙@@ SBD 的优点包括可大幅提高@@效率和高温可靠性@@,同时响应市场对降低系统执行成本并减少维护需求@@。
将成为全球最大的@@200mm 半导体工厂@@,采用创新性制造工艺来生产下一代@@碳化硅@@器件@@
TechInsights仅用数周就迅速采购并剖析了罗姆@@第@@@@4代@@金氧半场效晶体管@@,并于@@2022年@@7月公布了首批图像@@
SiC MOSFET 作为第@@三代@@宽禁带半导体具有击穿电场高@@、热导率高@@、电子@@饱和速率高@@、抗辐射能力强等优势@@,在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大@@
去年@@@@,TechInsights通过@@一系列@@188金宝搏@@ 展示了电气特性的力量@@,对于@@揭示碳化硅@@器件规格书远远不能提供的碳化硅@@器件特性@@
在涉及电子@@产品@@,尤其是集成半导体时@@,体积至关重要@@。数十年@@来@@,行业发展一直符合摩尔定律@@,它预测晶体管成本会年@@年@@降低@@
本文分析了目前不间断电源@@(UPS)在互联网@@数据中心中的应用和发展趋势@@。
通过@@采用@@ Wolfspeed 创新型碳化硅@@技术@@@@,将助力@@ AMP 优化电池性能@@、充电和成本@@。
本文我们将重点介绍第@@三代@@半导体中的@@SiC(碳化硅@@)如何助力轨道交通完成@@“碳达峰@@”目标@@
在功率器件半导体领域@@,越来越需要高频高功率耐高温的功率器件@@,随着时间发展@@,硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限@@