功率电子@@器件@@从硅@@(Si)到碳化硅@@@@(SiC)的过渡@@
judy -- 周四@@, 12/21/2023 - 11:00本文探讨了@@SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域@@,从而为我们全新的@@数字世界创造下一代解决方案@@。
本文探讨了@@SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域@@,从而为我们全新的@@数字世界创造下一代解决方案@@。
电子@@熔丝通过其可配置性@@、受控的导通和关断@@、车载诊断和对高电压瞬变的耐久性提高@@了系统级性能@@
宽带隙@@(WBG)器件@@,尤其是@@SiC FET、碳化硅@@JFET的级联和共封装硅@@MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛@@
汽车级@@DCM碳化硅@@MOSFET系列模块@@@@PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅@@功率模块@@@@
Wolfspeed 采用@@ TOLL 封装的碳化硅@@@@ MOSFET 产品组合丰富@@,提供优异的散热@@,极大简化了热管理@@
650 V、20 A碳化硅@@整流器模块@@适用于@@3 kW至@@11 kW功率堆栈设计的高频电源应用@@,以满足工业电源@@、EV充电站和板载充电器等应用的需要@@。
本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化硅@@金属氧化物半导体场效应晶体管将电动汽车的续航里程延长多达@@ 5%
电源设计人员面临着提供更高效@@、更可靠和体积更小的解决方案的挑战@@,他们正在寻求@@ SiC 等新技术@@来帮助他们应对这些挑战并降低总成本@@。
新的@@650V、20A碳化硅@@整流器模块@@适用于@@3kW 至@@11kW功率堆栈设计的高频电源应用@@,以满足工业电源@@、 EV充电站和板载充电器等应用的需要@@
本文将回顾该领域的发展@@,同时比较机械保护和使用不同半导体器件@@实现的固态断路器@@ (SSCB) 的优缺点@@