碳化硅@@

碳化硅@@（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件@@制造的化合物材料@@。它具有多种优异的性能特点@@，使其成为了替代@@传统硅@@（Silicon，Si）材料的重要选择之一@@。

SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究@@

judy -- 周二@@, 10/18/2022 - 15:28

在功率器件@@@@半导体领域@@，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件@@@@@@，随着时间发展@@，硅材料在功率器件@@@@领域已经达到了材料性能的极限@@

  • 围观@@ 754

碳化硅@@MOS 四引脚封装@@在应用中的优势@@

judy -- 周四@@, 08/25/2022 - 17:40

碳化硅@@MOS 芯片具有优异的高频特性@@，在高频应用中@@，传统的@@TO-247封装@@会制约其高频特性@@。

  • 围观@@ 228

碳化硅@@MOSFET设计双向降压@@-升压转换器@@实现@@97%能效@@

judy -- 周二@@, 08/16/2022 - 11:12

随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用@@@@，更好的电流控制成为一种趋势@@。今天为大家介绍的是一种双向@@DC-DC转换器@@，其双向性允许电流发生器同时具备@@充电和放电能力@@。

  • 围观@@ 106

UnitedSiC 750V 第@@4代@@ SiC FET提高@@了性能@@，并将设计灵活性提升到新的水平@@

judy -- 周一@@, 08/01/2022 - 09:06

新型碳化硅@@@@ FET 采用标准分立式封装@@@@。提供业界额定值最低的@@ RDS（on），是同类产品中唯一提供@@5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件@@@@

  • 围观@@ 53

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告@@

judy -- 周一@@, 07/11/2022 - 14:46

目前@@SiC MOSFET体二极管的可靠性研究@@论文和报告较少@@，本文针对@@SiC MOSFET的体二极管可靠性进行研究@@。

  • 围观@@ 123

安森美推出@@全球首款@@TOLL封装@@650 V碳化硅@@MOSFET

judy -- 周三@@, 05/11/2022 - 11:54

TOLL封装@@的@@尺寸仅为@@9.90 mm x 11.68 mm，比@@D2PAK封装@@的@@PCB面积节省@@30%。而且@@，它的外形只有@@2.30 mm，比@@D2PAK封装@@的@@体积小@@60%。

  • 围观@@ 33

Microchip推出@@3.3 kV碳化硅@@（SiC）功率器件@@@@， 实现更高的效率与可靠性@@

judy -- 周二@@, 03/22/2022 - 10:50

3.3 kV碳化硅@@MOSFET和肖特基势垒二极管@@（SBD）扩大了设计人员对交通@@、能源和工业系统中的高压电力电子@@产品的选择范围@@

  • 围观@@ 38

使用@@最新的@@SiC FET技术@@提升车载充电器性能@@

judy -- 周二@@, 03/15/2022 - 10:46

碳化硅@@FET已经在车载充电器@@（OBC）电路领域确立了自身地位@@，尤其是在电池工作电压超过@@500V的情况下@@。这些器件@@的低功率损耗使得穿孔封装@@和表面安装式封装@@都可以用于此应用@@。

  • 围观@@ 144

使用@@SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗@@

judy -- 周一@@, 02/28/2022 - 10:32

对于一直在设法提高@@效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言@@，碳化硅@@（SiC）MOSFET的高开关速度@@、高额定电压和小@@RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力@@。然而@@，由于高开关速度会导致高漏源电压@@（VDS）峰值和长振铃期@@，它们会产生电磁干扰@@，尤其是在电流大时@@。

  • 围观@@ 196

从硅过渡到碳化硅@@@@，MOSFET的结构及性能优劣势对比@@@@

judy -- 周三@@, 02/23/2022 - 17:17

650V-1200V电压等级的@@SiC MOSFET商业产品已经从@@Gen 2发展到了@@Gen 3，随着技术@@的发展@@，元胞宽度持续减小@@，比@@导通电阻持续降低@@，器件@@性能超越@@Si器件@@，浪涌电流@@、短路能力@@、栅氧可靠性等可靠性问题备@@受关注@@

  • 围观@@ 381