MOSFET

SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高@@、热导率高@@、电子@@饱和@@速率高@@、抗辐射能力强等优势@@，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大@@

新产品采用融入了@@ROHM自有@@IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装@@@@*2DSN1006-3，在实现小型化的同时还降低了功耗@@

电器中配电@@、上电排序和@@电源状态转换都需要负载开关@@，它可以减小待机模式下的漏电流@@，抑制浪涌电流@@，实现断电控制@@

本文介绍了@@ TOLT 的封装@@方案@@、热性能和@@电路板的可靠性@@。

该产品非常适用于@@可穿戴设备@@@@、无线耳机等可听戴设备@@@@、智能手机等轻薄小型设备@@的开关应用@@

灵活的器件采用@@PressFit引脚压合技术@@@@，在小型封装@@中内置各种电路配置@@

Nexperia（安世半导体@@）通过在@@ 125℃ 下对新款器件进行完全表征@@，并提供高温下的@@ SOA 数据曲线@@，消除了热降额设计的必要性@@，从而为设计人员提供进一步支持@@。

36V 锂离子电池是当今工具和@@户外动力设备@@的常用电源@@。由@@ 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和@@较长的电池寿命@@，同时也相对较轻且易于使用@@

智能化便携式电子@@设备@@诸如智能手机@@、笔记本电脑@@、平板电脑等的不断更新换代@@，功能越来越丰富@@，随之带来了耗电量急剧上升的挑战@@

该产品采用的小型@@TSOP6F封装@@，减少了所占板载空间@@@@。额定功率损耗为@@1.5W，不会造成能源浪费@@