MOSFET

Nexperia的全新先进模型可捕获@@-55℃至@@175℃的整个工作温度范围的一系列@@完整器件@@参数@@。

当向@@MOSFET施加高于绝对最大额定值@@BVDSS的电压时@@，就会发生击穿@@。当施加高于@@BVDSS的高电场时@@，自由电子@@被加速并带有很大的能量@@。

OptiMOS 5 25 V和@@30 V功率@@MOSFET产品系列@@已针对服务器@@、通讯@@、便携式充电器和@@无线充电等@@SMPS应用中的同步整流进行了优化@@。

该文描述了引起功率@@@@MOSFET发生寄生导通@@的机制@@，并进一步指出为了避免寄生导通@@，在选取@@MOSFET时应遵循什么准则@@。

在实际应用中@@，工程师们都会遇到一个相同的困惑@@：器件@@的选型着实令人头疼@@。对此@@，小编感同身受@@。今天@@，我们就一起来看看@@MOSFET和@@IGBT之间的有哪些异同点@@，在选型时应着重查看哪些参数@@。

650V-1200V电压等级的@@SiC MOSFET商业产品已经从@@Gen 2发展到了@@Gen 3，随着技术@@的发展@@，元胞宽度持续减小@@，比导通电阻持续降低@@，器件@@性能超越@@Si器件@@，浪涌电流@@、短路能力@@、栅氧可靠性等可靠性问题备@@受关注@@

MOSFET和@@IGBT等电源开关元器件@@被广泛应用于各种电源应用和@@电源线路中@@。另外@@，所使用的电路方式也多种多样@@，除单独使用外@@，还有串联连接@@、并联连接等多种使用方法@@

东芝推出其面向@@20V电源线路的新款@@“TCK42xG系列@@”MOSFET栅极驱动@@IC中的首款产品@@---“TCK421G”。该系列@@器件@@专门用于控制外部@@N沟道@@MOSFET的栅极电压@@（基于输入电压@@），同时具备@@过压锁定功能@@。

数字开关通常使用@@MOSFET来创建@@，但是对于低饱和@@电压的开关模型@@，双极结型晶体管@@已成为不容忽视的替代方案@@。对于低电压和@@低电流的应用@@，它们不仅可以提供出色的电流放大效果@@，还具有成本优势@@。