东芝推出采用超级结结构的@@@@600V N沟道@@功率@@@@MOSFET，助力提高@@电源效率@@
judy -- 周二@@, 06/13/2023 - 16:54
600V DTMOSVI系列产品的@@单位面积漏源导通电阻@@降低了约@@@@13%，漏源导通电阻@@×栅漏电荷@@（MOSFET性能的@@品质因数@@）降低了约@@52%
MOSFET
功率@@MOSFET基本结构@@：平面结构@@
judy -- 周一@@, 06/05/2023 - 15:18
功率@@MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管有三个管脚@@，分别为栅极@@（Gate），漏极@@（Drain）和源极@@（Source）
东芝推出具有更低导通电阻的@@小型化超薄封装共漏极@@@@@@MOSFET，适用于快充设备@@@@
judy -- 周四@@, 05/18/2023 - 14:35
东芝推出额定电流为@@20A的@@12V共漏极@@@@N沟道@@MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备@@锂离子@@（Li-ion）电池组中的@@电池保护电路@@
ROHM推出超低导通电阻的@@@@Nch MOSFET
judy -- 周五@@, 04/21/2023 - 17:27
新推出@@40V～150V耐压的@@共@@13款产品@@，非常适用于工业设备@@电源和各种电机驱动@@
Diodes推出功率@@密度更高的@@工业级碳化硅@@ MOSFET
judy -- 周四@@, 04/13/2023 - 09:51
这款@@ MOSFET 的@@ RDS(ON) (典型值@@) 很低@@，仅@@ 80mΩ (对于@@ 15V 的@@闸极驱动@@)，能将传导耗损降至最低@@，并提高@@效率@@
MOSFET与@@IGBT的@@区别@@
judy -- 周四@@, 04/06/2023 - 14:49
本文将对一些参数进行探讨@@，如硬开关和软开关@@ZVS(零电压转换@@) 拓扑中的@@开关损耗@@，并对电路和器件特性相关的@@三个主要功率@@开关损耗@@—导通损耗@@、传导损耗和关断损耗进行描述@@。
东芝推出新款@@150V N沟道@@功率@@@@MOSFET
judy -- 周四@@, 03/30/2023 - 14:21
TPH9R00CQ5具有行业领先的@@@@9.0mΩ（最大值@@）的@@低漏源导通电阻@@@@，与@@东芝现有产品@@“TPH1500CNH1”相比降低了约@@@@42%。
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究@@
judy -- 周四@@, 03/23/2023 - 14:30
相信各位工程师在日常的@@电源设计中@@，当面对@@ZVS的@@场景时@@，经常会有如下的@@困惑@@：比如大名鼎鼎的@@@@LLC，工作在死区时@@，MOSFET 寄生二极管续流@@
Nexperia推出首款采用@@SMD铜夹片@@LFPAK88封装的@@热插拔专用@@MOSFET
judy -- 周三@@, 03/22/2023 - 16:02
RDS(on)额外降低@@40%，功率@@密度提高@@@@58倍@@，适合电信和热插拔计算应用@@
Vishay推出两款新型@@30 V对称双通道@@n沟道@@功率@@@@MOSFET
judy -- 周一@@, 01/30/2023 - 10:41
节省空间@@型器件所需@@PCB空间@@比@@PowerPAIR 6x5F封装减少@@63%，有助于减少元器件数量并简化设计@@