MOSFET

DSN1006和@@DSN1010中的三款全新器件可在@@空间@@受限的应用中节省电力并简化散热管理@@

豪威集团全新推出@@两款@@MOSFET：业内最低内阻双@@N沟道@@MOSFET WNMD2196A和@@SGT 80V N沟道@@MOSFET WNM6008。

功率@@MOSFET用户都非常熟悉@@“静电敏感器件@@”警告标志@@。然而@@，越熟悉越容易大意@@。从统计的角度来看@@，单个@@MOSFET不太可能被静电放电损坏@@@@。然而@@，在@@处理成千上万个@@MOSFET时@@，极小的故障都可能带来极大的影响@@。

TCK42xG系列@@现在@@允许用户从@@10V和@@5.6V这两种类型的栅源电压中进行选择@@，这覆盖了更多规格的@@MOSFET。凭借输入过电压锁定功能的多种检测电压@@，该产品@@能用于@@5V至@@24V的电源线路@@。

PowerDI®8080-5 封装@@的@@首款产品@@为@@ DMTH4M70SPGWQ，在@@ 10V 闸极驱动下@@，此款符合汽车规格的@@ 40V MOSFET 典型@@ RDS(ON) 仅为@@ 0.54mΩ，闸极电荷为@@ 117nC。

意法半导体的@@STPOWER MDmesh M9和@@DM9硅基@@N沟道@@超结多漏极功率@@@@MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器@@、5G基础设施@@、平板电视机的开关式电源@@ (SMPS)

TOLL封装@@的@@尺寸仅为@@@@9.90 mm x 11.68 mm，比@@D2PAK封装@@的@@PCB面积节省@@30%。而且@@，它的外形只有@@2.30 mm，比@@D2PAK封装@@的@@体积小@@60%。

东芝@@拓展了新一代@@650V超结结构@@N沟道@@功率@@@@MOSFET“DTMOSVI系列@@”，推出@@TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和@@TK190E65Z产品@@，它们适用于数据中心@@、光伏发电机功率@@调节器等工业设备@@的开关电源@@。

俗话说@@“人无远虑必有近忧@@”，对于电子@@设计工程师@@，在@@项目开始之前@@，器件选型之初@@，就要做好充分考虑@@，选择最适合自己需要的器件@@，才能保证项目的成功@@。

与使用当前一代@@“U-MOSⅧ-H”工艺的@@150V产品@@TPH1500CNH相比@@@@，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约@@42%。