SK海力士@@

本文将带您了解半导体封装的@@不同分类@@

LPDDR5T的@@16 GB容量套装产品@@可在国际半导体标准化组织@@（JEDEC）规定的@@最低电压@@1.01至@@1. 12V（伏特@@）标准范围下运行@@

SK海力士@@21日宣布@@，公司成功开发出面向@@AI的@@超高性能@@DRAM新产品@@@@HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证@@@@。

SK海力士@@开始向客户提供应用于智能手机等移动产品@@的@@高性能@@DRAM LPDDR5X的@@24GB封装产品@@@@

238层@@NAND闪存@@作为世界上最小体积的@@芯片@@，生产效率比上一代的@@@@176层@@提升了@@34%，成本竞争力得到了大幅改善@@。

SK海力士@@HBM3 DRAM可每秒@@传输@@163部全高清@@（Full-HD）电影@@，最大速度可达@@819GB/s（每秒@@819千兆字节@@）

本次产品@@的@@速度比现有产品@@快@@13%，运行速度高达@@9.6Gbps（Gb/s）

本文将基于@@2022年@@11月举行的@@第@@10届@@SK海力士@@学术会议内容对@@CIS关键技术@@之一的@@背照式@@(Backside Illumination, BSI)技术@@进行介绍@@。

该产品@@的@@最低数据传输速率也高达@@8Gbps，较之目前@@DDR5产品@@4.8Gbps提高@@了@@80%以上@@。

由于传统微缩@@(scaling)技术@@系统的@@限制@@，DRAM的@@性能被要求不断提高@@@@，而@@HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的@@解决方案@@