未来的晶体管@@@@,新进展@@
judy -- 周二@@, 06/20/2023 - 15:31CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目@@,旨在开发@@ 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物@@ (2D TMD) 的层转移技术@@@@,目标是将摩尔定律扩展到@@@@ 2030 年@@以后@@
CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目@@,旨在开发@@ 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物@@ (2D TMD) 的层转移技术@@@@,目标是将摩尔定律扩展到@@@@ 2030 年@@以后@@
本文将回顾晶体管@@的历史@@,探讨其未来的发展方向@@,并分析晶体管@@基本结构的更新换代@@,以及最新的@@Multi-Die系统的应用前景@@。
IGBT具有栅极@@、集电极@@、发射极@@3个引脚@@。栅极与@@MOSFET相同@@,集电极@@和发射极@@与双极晶体管@@相同@@@@
晶体管@@的开关速度即由其开关时间来表征@@,开关时间越短@@,开关速度就越快@@
任何芯片的基本组成部分都是晶体管@@@@,最近晶体管@@迎来了@@ 75 岁生日@@。今天我们将讨论它的下一个@@ 25 年@@
在过去的@@ 75 年@@里@@,晶体管@@技术@@最明显的变化就是我们能制造多少@@。
比利时微电子@@中心@@IMEC公布了一张很有趣的路线图@@,对比了@@1970年@@到@@现在@@2022年@@的@@52年@@间中@@,处理器芯片的晶体管@@密度变化@@
加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管@@@@--构成计算机构件的微小电子@@开关@@--的设计中的一项重大突破@@@@,它可以在不牺牲速度@@、尺寸或@@性能的情况下大大降低其能源消耗@@。该@@188足彩外围@@app 被称为闸极氧化层@@,其在晶体管@@的开关中起着关键作用@@。
近日@@,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管@@研究方面取得重大突破@@@@,首次实现了具有亚@@1纳米栅极长度的晶体管@@@@,并具有良好的电学性能@@。
从人工智能@@(AI)到@@5G、物联网@@@@(IoT)、再到@@自动驾驶汽车@@,半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术@@之一@@。随着半导体技术@@的先进化和复杂化@@,半导体工艺也在快速发展@@。