英飞凌推出全新@@CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在@@不影响系统可靠性的@@情况下提供@@更高功率@@密度@@
judy -- 周三@@, 03/20/2024 - 10:32CoolSiC™ MOSFET具有更高的@@直流母线电压@@,可在@@不增加电流的@@情况下提高@@功率@@@@。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的@@直流母线电压@@,可在@@不增加电流的@@情况下提高@@功率@@@@。
节省空间@@型器件所需@@PCB空间@@比@@PowerPAIR 1212封装@@分立器件减少@@50 %,有助于减少元器件数量并简化设计@@
在@@关断状态下@@,功率@@MOSFET的@@体二极管结构的@@设计是为了阻断最小漏极@@-源极电压值@@。本文将分享相关@@UIS (UIL)数据表的@@额定值@@。
SGM48521Q 提供@@ 7A 源电流和@@@@ 6A 灌电流输出能力@@。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的@@导通和@@关断时间@@
本文介绍了一个特定的@@雪崩功率@@函数@@,它构成了功率@@@@MOSFET数据表中雪崩额定值的@@基础@@
在@@现代电子@@中@@,三极管@@、MOSFET、IGBT是电子@@人口中的@@@@“常客@@”,但很多人可能一知半解@@,或@@只知其一不知其二@@,尤其是电子@@新手@@,接下来跟着我们重新认识一下他们吧@@。
三菱电机集团宣布将于@@2月@@28日开始提供@@其新型@@6.5W硅射频高功率@@@@金属氧化物半导体场效应晶体管@@(MOSFET)样品@@
此次发布的@@产品包括用于@@ PoE、eFuse 和@@继电器替代产品的@@@@ 100 V 应用专用@@ MOSFET (ASFET),采用@@ DFN2020 封装@@,体积缩小@@ 60%
新产品采用@@高速二极管@@,旨在@@改善桥式电路和@@逆变电路应用中至关重要的@@反向恢复特性@@
器件采用@@中央栅极结构@@3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装@@,提高@@系统功率@@密度@@,改进热性能@@