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半导体后端工艺@@|第六篇@@:传统封装方法组装工艺的@@八个步骤@@

本文将重点介绍这两种封装方法@@,以及两者在组装方法和功能方面的@@差异@@。在本篇文章中@@,将着重介绍传统封装方法@@。

半导体后端工艺@@|第四篇@@:了解不同类型的@@半导体封装@@(第二部分@@)

本文介绍将多个封装和组件整合到单个产品中的@@封装技术@@@@

半导体后端工艺@@|第三篇@@:了解不同类型的@@半导体封装@@

本文将带您了解半导体封装的@@不同分类@@

SK海力士@@全面推进全球最高速率@@LPDDR5T DRAM商用化@@

LPDDR5T的@@16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织@@(JEDEC)规定的@@最低电压@@1.01至@@1. 12V(伏特@@)标准范围下运行@@

SK海力士@@开发出全球最高规格@@HBM3E,向客户提供样品进行性能验证@@

SK海力士@@21日宣布@@,公司成功开发出面向@@AI的@@超高性能@@DRAM新产品@@HBM3E1,并开始向客户提供样品进行性能验证@@@@。

SK海力士@@量产全球最大容量的@@@@24GB LPDDR5X DRAM

SK海力士@@开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的@@高性能@@DRAM LPDDR5X的@@24GB封装产品@@

SK海力士@@宣布量产@@238层@@4D NAND闪存@@

238层@@NAND闪存@@作为世界上最小体积的@@芯片@@,生产效率比上一代的@@@@176层@@提升了@@34%,成本竞争力得到了大幅改善@@。

SK海力士@@推出首款@@12层@@堆叠@@HBM3 DRAM,已向客户提供样品@@

SK海力士@@HBM3 DRAM可每秒@@传输@@163部全高清@@(Full-HD)电影@@,最大速度可达@@819GB/s(每秒@@819千兆字节@@)

SK海力士@@推出全球超快移动@@DRAM——LPDDR5T

本次产品的@@速度比现有产品快@@13%,运行速度高达@@9.6Gbps(Gb/s)

全球移动市场的@@指路灯@@——SK海力士@@背照式@@(BSI)技术@@分享@@

本文将基于@@2022年@@11月举行的@@第@@10届@@SK海力士@@学术会议内容对@@CIS关键技术@@之一的@@背照式@@(Backside Illumination, BSI)技术@@进行介绍@@。