碳化硅@@

碳化硅@@(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件@@制造的化合物材料@@。它具有多种优异的性能特点@@,使其成为了替代传统硅@@(Silicon,Si)材料的重要选择之一@@。

主驱逆变器@@,为何要选择碳化硅@@@@?

在@@当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中@@,一项关键技术@@正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局@@

Wolfspeed 功率模块@@如何变革三相工业低电压电机驱动器@@@@

本文将探讨@@ Wolfspeed WolfPACK 功率模块@@如何将损耗降低高达@@ 50%,同时实现更小@@、更轻@@、热稳定性更高的嵌入式@@ 25 kW 三相工业低电压电机驱动器@@。

Qorvo® 推出@@紧凑型@@ E1B 封装@@的@@ 1200V SiC 模块@@

Qorvo推出@@四款采用@@紧凑型@@ E1B 封装@@的@@ 1200V 碳化硅@@(SiC)模块@@,其中两款为半桥配置@@,两款为全桥配置@@

意法半导体隔离栅极驱动器@@:碳化硅@@MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣@@

STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能@@、简化设计@@、节省空间@@和高可靠性的特性@@

Qorvo®推出@@D2PAK封装@@SiC FET,提升@@750V电动汽车设计性能@@

UJ4SC075009B7S 在@@25°C时的典型导通电阻值为@@9mΩ,可在@@高压@@、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高@@效率@@

功率电子@@器件@@从硅@@(Si)到碳化硅@@@@(SiC)的过渡@@

本文探讨了@@SiC材料如何提升@@产品性能以超越基于硅材料的领域@@,从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案@@。

碳化硅@@电子@@熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案@@

电子@@熔丝通过其可配置性@@、受控的导通和关断@@、车载诊断和对高电压瞬变的耐久性提高@@了系统级性能@@

SiC FET的脉冲电流能力量化@@

宽带隙@@(WBG)器件@@,尤其是@@SiC FET、碳化硅@@JFET的级联和共封装@@硅@@MOSFET,正在@@引领降低半导体开关功率损耗的竞赛@@

基本半导体推出@@应用于新能源汽车的@@Pcore™2 DCM碳化硅@@MOSFET模块@@

汽车级@@DCM碳化硅@@MOSFET系列模块@@@@PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器@@应用设计的一款高功率密度的碳化硅@@功率模块@@@@

通过碳化硅@@@@ TOLL 封装@@开拓人工智能计算的前沿@@

Wolfspeed 采用@@ TOLL 封装@@的@@碳化硅@@@@ MOSFET 产品组合丰富@@,提供优异的散热@@,极大简化了热管理@@